王智杰 研究員
| 專家姓名: | 王智杰 | 職務: | ||
| 職稱: | 研究員 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
納米技術(shù)，光電化學，新能源（太陽能電池、超級電容器、離子電池等） |
||||
| 自我介紹： | ||||
2004年本科畢業(yè)于浙江大學，2009年博士畢業(yè)于中科院半導體研究所。隨后在美國懷俄明大學、密歇根大學以及德國伊爾梅諾理工大學等知名高校工作。德國物理學會會員。2015年進入中科院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室工作。與國外諸多知名科研單位有較深的合作關系。 取得的重要科研成果： （1）系統(tǒng)研究了空穴從染料激發(fā)態(tài)到P型GaP的注入。研究表明，在半導體表面存在耗盡層的條件下，空穴的注入效率近于100%。并運用wxAMPS軟件結(jié)合連續(xù)態(tài)模型對空穴注入的過程進行計算擬合，從理論和實驗兩方面驗證了空穴高效率注入的存在，填補了P型半導體在光電化學研究領域的空白。（2）利用瞬態(tài)光譜法和光電化學法驗證了空穴從量子點激發(fā)態(tài)到GaP注入的存在，深化了對量子點材料電荷遷移的認識，拓展了量子點材料在光電化學領域的應用。（3）將鐵酸鉍鐵電薄膜制備成光電化學電極，研究不同鐵電極化條件對于電極光解水效率及方式的影響。此工作拓展了光解水材料的研究領域，可實現(xiàn)單一電極兼具產(chǎn)氫產(chǎn)氧功能，為光解水反應的智能化控制奠定了基礎。 |
||||
| 所在單位: | 中科院半導體研究所 | |||
 |
||||
