徐現(xiàn)剛 教授
| 專家姓名: | 徐現(xiàn)剛 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發(fā)光二極管、HBT、HEMT等。 |
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| 自我介紹： | ||||
1992年獲得山東大學凝聚態(tài)物理博士學位，師從于蔣民華院士。2000年留美回國-至今，獲教育部第一批長江計劃的特聘教授，2000年度國家杰出青年科學基金獲得者，973首席科學家，主要從事半導體材料制備及其應用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發(fā)光二極管、HBT、HEMT等。積極響應國家號召，踐行產(chǎn)學研結(jié)合，服務(wù)地方服務(wù)山東，把科技創(chuàng)新的成果產(chǎn)業(yè)化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的單晶生長技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發(fā)光二極管。先后承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。 獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者，1998年獲得由IEE頒發(fā)的Electronics Letters Premium，1999年在美國獲得由IEEE頒發(fā)的Best Paper Award，2000年獲得“國家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創(chuàng)業(yè)獎”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎”等。任國務(wù)院學位委員會委員、國家863計劃半導體照明工程總體專家組專家等等。至今已經(jīng)發(fā)表超過150篇相關(guān)論文及會議報告。 |
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| 所在單位: | 山東大學晶體材料研究所 | |||
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