1.第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)器件及芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠性及應(yīng)用技術(shù)的研究;
(以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”,在半導(dǎo)體照明、 新一代移動通信、能源互聯(lián)網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸,對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、催生新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)將發(fā)揮重要作用。)
2.硅基光電集成電路的研究及產(chǎn)品研發(fā)
(現(xiàn)階段研發(fā)的重點(diǎn)方向包括:高速低噪聲光電探測器IC、高速光耦、先進(jìn)的光電傳感器工藝開發(fā)、激光雷達(dá)單片關(guān)鍵工藝及核心芯片)
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