主要從事寬禁帶半導體表征、微尺度傳熱、器件仿真、設計及先進熱管理研究工作,研究對象包括氮化鎵-GaN,氧化鎵-Ga2O3,金剛石-diamond,六方氮化硼-hBN, 鈧摻氮化鋁-ScAlN等,在薄膜尺度熱反射表征方法(time domain thermoreflectance 和 transient thermoreflectance)、聲子熱輸運理論和測試、以及(超)寬禁帶半導體器件設計等領域具有一定的技術優(yōu)勢和科研特色,承擔多個國家/省部級重大戰(zhàn)略需求的縱向科研項目。 |