長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作,先后主持國家863、973和國家科技支撐計劃等23個科研項目,取得了多項研究成果。系統(tǒng)開展了碳化硅晶體生長的基礎(chǔ)和應(yīng)用開發(fā)研究工作,解決了多項關(guān)鍵科學(xué)問題和系列關(guān)鍵技術(shù),生長出2-4英寸高質(zhì)量晶體;攻克了晶體制備重復(fù)性和穩(wěn)定性等關(guān)鍵工程化問題,在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化,碳化硅系列晶片批量供應(yīng)國內(nèi)用戶,并出口至歐美和日本等發(fā)達(dá)國家,打破了國外的長期壟斷,為發(fā)展我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奠定了基礎(chǔ)。發(fā)現(xiàn)了一系列新的功能晶體材料,包括新超導(dǎo)體K0.8Fe2Se2和具有潛在應(yīng)用價值的閃爍晶體YBa3B9O18等,精確測定了新化合物的晶體結(jié)構(gòu),其中120個化合物的衍射數(shù)據(jù)被ICDD收錄為標(biāo)準(zhǔn)衍射數(shù)據(jù)。 |