主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究,是國際上富In氮化物半導(dǎo)體研究的開拓者;在InN薄膜生長、電學(xué)特性、和p型摻雜等方面創(chuàng)造并長期保持世界紀(jì)錄,其工作直接導(dǎo)致了InN 0.7電子伏特窄禁帶特性的重大發(fā)現(xiàn),大大拓展了Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的研究與應(yīng)用范疇;首先發(fā)現(xiàn)InN表面強(qiáng)電荷聚集效應(yīng),藉此研制出InN表面化學(xué)傳感器、InN THz發(fā)射源,多次獲《Nature》雜志專文報(bào)道;聯(lián)合提出InGaN全光譜多異質(zhì)結(jié)太陽能電池的概念和結(jié)構(gòu)。 |