張進成 教授
| 專家姓名: | 張進成 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
寬禁帶半導(dǎo)體(GaN)器件、材料與設(shè)備 微波毫米波太赫茲集成電路與工藝 超寬禁帶半導(dǎo)體(金剛石、氧化鎵、氮化鋁)器件、材料與設(shè)備 石墨烯及二維半導(dǎo)體器件與材料 柔性新能源與可穿戴器件 |
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| 自我介紹： | ||||
博士，二級教授，博士生導(dǎo)師，教育部長江學者特聘教授，國家萬人計劃領(lǐng)軍人才，卓越青年基金獲得者，國務(wù)院政府特殊津貼專家，陜西省三秦學者特聘教授?，F(xiàn)任西安電子科技大學校長助理、寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國家級重點實驗室副主任，曾擔任ICNS、DRIP、APWS等國際學術(shù)會議電子器件分會主席，微電子學院副院長。主要研究領(lǐng)域為寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，發(fā)表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權(quán)發(fā)明專利80余項，成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項 |
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| 所在單位: | 西安電子科技大學 | |||
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