1963年7月生,1985年和1988年畢業(yè)于蘭州大學(xué)物理系并分獲理學(xué)學(xué)士和理學(xué)碩士學(xué)位,1988-1990年于西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院電子工程系(原陜西機(jī)械學(xué)院自動(dòng)化工程系)任助教,1994年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所并獲理學(xué)博士學(xué)位,同年留所從事半導(dǎo)體致冷技術(shù)的開(kāi)發(fā)工作。1997-1998年在美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)物理系做博士后研究工作。目前主要從事第三代寬帶隙SiC(碳化硅)半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)、特性表征、以及SiC功率半導(dǎo)體器件研制工作。先后參加和主持國(guó)家“863”、國(guó)家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃項(xiàng)目(973項(xiàng)目)、國(guó)家自然科學(xué)基金委、中國(guó)科學(xué)院重點(diǎn)和北京市科委等項(xiàng)目多項(xiàng)。近來(lái),作為廣東省創(chuàng)新科研團(tuán)隊(duì)引進(jìn)項(xiàng)目的主要成員,與廣東省企業(yè)合作承擔(dān)了廣東省戰(zhàn)略性新型產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目和東莞市重大方向性項(xiàng)目,開(kāi)展SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化以及SiC功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)研發(fā)工作。 |