郭煒 副研究員
| 專(zhuān)家姓名: | 郭煒 | 職務(wù): | ||
| 職稱(chēng): | 副研究員 | 專(zhuān)業(yè)類(lèi)別: | ||
| 研究方向： | ||||
主要研究第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體材料的制備、特性、相關(guān)光電子及電力電子器件的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。材料體系包括GaN、AlGaN、AlN、氧化鎵等。重點(diǎn)研究方向： 1. 高鋁組分AlGaN 、AlN的薄膜外延及固態(tài)紫外發(fā)光器件、探測(cè)器 2. 氮化物極性調(diào)控及新型半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā) 3. 半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)發(fā) 4. 微納加工及微納光學(xué) |
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| 自我介紹： | ||||
2016-02~現(xiàn)在, 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所, 副研究員 2015-02~2016-02,美國(guó)應(yīng)用材料有限公司, 工藝工程師 |
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| 所在單位: | 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 | |||
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