長(zhǎng)期從事硅、化合物半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng),稀土半導(dǎo)體、硅基半導(dǎo)體材料制備;半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)與缺陷行為,界面、表面物理化學(xué);半導(dǎo)體材料與器件性能關(guān)系,納米半導(dǎo)體材料、高k材料和紅外光學(xué)材料等方面研究。研究課題包括半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)中的傳質(zhì)、傳熱過程,硅外延生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué),半導(dǎo)體材料中的缺陷與雜質(zhì),半導(dǎo)體材料表面物理化學(xué),三元系化合物半導(dǎo)體晶格動(dòng)力學(xué),稀土半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)相變,鍺硅半導(dǎo)體材料的制備技術(shù),納米半導(dǎo)體材料制備及性能評(píng)價(jià),高k柵介質(zhì)材料缺陷及界面穩(wěn)定性研究,紅外光學(xué)材料制備及性能研究,半導(dǎo)體材料檢測(cè)技術(shù)等。 |