嚴(yán)輝 教授
| 專家姓名: | 嚴(yán)輝 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
在半導(dǎo)體薄膜點(diǎn)缺陷的研究中取得多個(gè)重大進(jìn)展，發(fā)展了非晶Si及其合金薄膜的熱平衡理論，在Si3N4薄膜中發(fā)現(xiàn)存在有N-Pair的新型點(diǎn)缺陷，并建立了Si基薄膜表面缺陷的衍生機(jī)制；在納米電子輸運(yùn)機(jī)理方面，拓展了納米半導(dǎo)體疊層的量子共振遂穿理論。1984年，參與研制出國(guó)內(nèi)第一個(gè)效率達(dá)到4.4%的a-Si p-i-n薄膜電池；創(chuàng)新了InP基雙重?fù)诫s-漂移機(jī)制和Si基新型徑向異質(zhì)結(jié)的新型太陽電池；目前保持有效率為22.4%的Si基平面異質(zhì)結(jié)太陽電池的國(guó)內(nèi)記錄，已具備產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)能力。 |
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| 自我介紹： | ||||
湖南岳陽人，光電薄膜材料與器件、新能源領(lǐng)域?qū)＜?，目前為北京工業(yè)大學(xué)學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、材料學(xué)科學(xué)術(shù)委員會(huì)主任。1984年本科畢業(yè)于蘭州大學(xué)物理系獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位，1989年留學(xué)日本、師從國(guó)際半導(dǎo)體知名學(xué)者清水立生教授，1993年獲國(guó)立金澤大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位；歷任過日本NEC株式會(huì)社外國(guó)人特別研究員、香港中文大學(xué)電子工程系博士后研究員；1996年加盟北京工業(yè)大學(xué)，創(chuàng)立薄膜科學(xué)與技術(shù)研究室，是創(chuàng)建北京工業(yè)大學(xué)材料學(xué)科的主要成員之一，1998年破格晉升教授、博士生導(dǎo)師，為北京工業(yè)大學(xué)材料學(xué)科、物理學(xué)科等多學(xué)科的建設(shè)和發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn)，并參與組建了多個(gè)省部級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家和北京市多個(gè)重點(diǎn)和交叉學(xué)科，是多個(gè)省部級(jí)學(xué)術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)以及國(guó)家、地方和企業(yè)重要課題的負(fù)責(zé)人。 |
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| 所在單位: | 北京工業(yè)大學(xué) | |||
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