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主要研究方向：ZnO材料生長、物性調(diào)控及應(yīng)用；納米薄層材料高真空CVD技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用。

葉志鎮(zhèn)，男，1955年5月生于浙江溫州?，F(xiàn)任浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程系主任。浙江省特級專家、浙大求是特聘教授、博士生導(dǎo)師。兼任國家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)部半導(dǎo)體學(xué)科評審組成員，全國電子材料專委副主任，全國半導(dǎo)體與集成技術(shù)、半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體物理專委委員等。1999-2009年曾任浙江大學(xué)材料科學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院副院長。1997-2009年曾任浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。
1977年考入浙江大學(xué)電機(jī)系，1982年1月獲學(xué)士，1984年獲浙大光儀系碩士，1987年獲光儀系博士；畢業(yè)后留校工作，1990－1992年作為、高級訪問學(xué)者、留學(xué)美國麻省理工學(xué)院(MIT)；1994年晉升為教授；1996年選為博導(dǎo)。1988年進(jìn)入浙大硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，一直從事半導(dǎo)體薄膜教學(xué)科研工作，主要研究方向：ZnO材料生長、物性調(diào)控及應(yīng)用；納米薄層材料高真空CVD技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用。
多年來圍繞國家光電信息技術(shù)和節(jié)能技術(shù)目標(biāo)，完成20余項(xiàng)國家與省部級科研項(xiàng)目。負(fù)責(zé)完成 “十五”國家“973”課題和國家自然基金重點(diǎn)項(xiàng)目各1項(xiàng)；目前在研包括”973”課題、國家自然基金重點(diǎn)項(xiàng)目、面上基金及省部級科研項(xiàng)目10余項(xiàng)。
國際上較早開展ZnO研究。1989年ZnO研究結(jié)果發(fā)表在國際期刊Applied Optics上；1990年“ZnO:In透明導(dǎo)電薄膜”獲浙江省科技三等獎。在ZnO薄膜制備、p型摻雜與LED室溫電致發(fā)光；ZnO納米結(jié)構(gòu)可控生長與場發(fā)射應(yīng)用；ZnO:Ga透明導(dǎo)電薄膜等方面取得了重要創(chuàng)新成果；其中“ZnO基材料生長、p型摻雜與室溫電致發(fā)光研究”獲2006年浙江省科技一等獎、2007年國家自然科學(xué)二等獎；“基于納米管、納米線的低維結(jié)構(gòu)材料可控生長與應(yīng)用基礎(chǔ)研究”獲2007年浙江省科技一等獎。
高真空CVD薄膜技術(shù)及應(yīng)用研究取得重要成果。合作創(chuàng)建了國內(nèi)第一臺超高真空CVD設(shè)備，自主研發(fā)了超高真空CVD和高真空MOCVD兩大類創(chuàng)新薄膜系統(tǒng)，發(fā)展了低溫CVD工藝；研制了優(yōu)質(zhì)Si、SiGe和GaN等晶體薄膜材料與器件；整套技術(shù)在全國50多家大學(xué)和科研單位推廣應(yīng)用，效益重大；3項(xiàng)成果獲省部級科技二等獎，其中浙江省科技發(fā)明二等獎1項(xiàng)，教育部二等獎2項(xiàng)。
10項(xiàng)成果獲得獎勵，其中國家自然科學(xué)二等獎1項(xiàng)，浙江省科技一等獎2項(xiàng)，省部級科技二等獎3項(xiàng)；浙江省鑒定成果5項(xiàng)；授權(quán)國家發(fā)明專利36項(xiàng)；發(fā)表論文400多篇，其中國際權(quán)威期刊Adv. Mater.1篇，APL30篇；被SCI收錄200余篇、EI收錄100余篇，論文被他引1700余次，其中SCI他引1200余次；國際大會報告40多次，其中邀請報告15次，包括美國MRS秋季大會邀請報告。
1994年被評為國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室全國先進(jìn)工作者并獲“金牛獎”；1995年選為浙江省首批“中青年學(xué)術(shù)帶頭人”；1996年入選教育部“跨世紀(jì)優(yōu)秀人才培養(yǎng)計劃”；1997年入選國家“百千萬人才工程”；1997年享受國務(wù)院特殊津貼。2006年被聘為浙大首批求是特聘教授；2007年評為浙江省突出貢獻(xiàn)中青年專家；2008年選為浙江省特級專家和浙江省優(yōu)秀留學(xué)回國人員。