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脈沖等離子PulsPlasma?系統(tǒng)包括真空爐室，輔助加熱系統(tǒng)，保溫系統(tǒng)，溫度測量系統(tǒng)，鐘罩提升系統(tǒng)，工藝氣體循環(huán)系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)，工藝控制系統(tǒng)以及離子發(fā)生器系統(tǒng)。這其中的離子發(fā)生器系統(tǒng)是普發(fā)拓普公司的**設(shè)計，可以完全避免打弧現(xiàn)象的發(fā)生而且節(jié)能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設(shè)計，也可以是井式爐或臥式設(shè)計。根據(jù)設(shè)備的大小，加熱控制區(qū)至少配有三組獨立控制升溫和降溫的加熱器，通過這些獨立控制的加熱器獲得**的均溫性。
工藝特點：
通過熱壁技術(shù)實現(xiàn)良好的均溫性
工藝氣體消耗少，沒有污染氣體
靈活的滲氮溫度，溫度范圍 300 ℃ - 800 ℃
白亮層可控
可處理不銹鋼
可處理燒結(jié)鋼
可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝
設(shè)備特點：
不產(chǎn)生打弧，工件表面無破壞
獨特的加熱和控制系統(tǒng)，至少3區(qū)獨立的加熱和冷卻區(qū)域
控制區(qū)溫度均勻分布
獨有的PulsPlasma?電源，電壓和電流近乎方波，幾微妙內(nèi)獲得
設(shè)定的全部脈沖電流，主動抑制打弧監(jiān)測（開關(guān)時間< 0.1 μs）
電源可升級至5年質(zhì)保
可在低溫下對工件表面進行等離子清洗
設(shè)備布局緊湊，節(jié)省空間，所有部件集成在一個基礎(chǔ)框架內(nèi)
模塊化設(shè)計，提供單室型、交替型和雙室型設(shè)備
特殊航天保溫材料，熱容量低，功率損耗低，節(jié)省重量
暫無數(shù)據(jù)！
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