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圓片級(jí)封裝等離子體處理越來(lái)越多地應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝中的高級(jí)應(yīng)用,達(dá)因特等離子清洗機(jī)能夠處理多個(gè)晶片尺寸,高容量,自動(dòng)化處理.

隨著半導(dǎo)體器件制造商進(jìn)一步縮小尺寸并提高封裝器件的可靠性，等離子處理系統(tǒng)越來(lái)越多地應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝中的高級(jí)應(yīng)用。達(dá)因特等離子清洗機(jī)能夠處理多個(gè)晶片尺寸、高容量、自動(dòng)化處理。

圓片清洗-等離子清洗傳統(tǒng)上被用來(lái)消除在晶圓級(jí)設(shè)備制造過(guò)程中產(chǎn)生的污染，或在上游裝配過(guò)程中產(chǎn)生的。在這兩種情況下，清洗產(chǎn)品以除去氟、氧化物或金屬的污染，都大大提高了集成電路的產(chǎn)量、可靠性和性能。

除渣為光刻膠殘留有時(shí)仍然在發(fā)展，處理。等離子體處理在進(jìn)一步的后續(xù)處理之前，在晶片的整個(gè)表面上均勻地去除少量的抗蝕劑。等離子體處理對(duì)批量剝離和材料包括光致抗蝕劑、氧化物、氮化物蝕刻的一種有效方法，和電介質(zhì)。蝕刻速率在一微米每分鐘的均勻性大于95%，可以實(shí)現(xiàn)。剝離和蝕刻工藝可應(yīng)用于圓片級(jí)封裝、MEMS制造和磁盤驅(qū)動(dòng)器處理。

晶圓預(yù)處理-等離子處理去除污染和氧化，以增加可靠性和粘接產(chǎn)量。血漿也是微粗糙改善晶片鈍化層和BCB之間的粘接晶圓鈍化層。

BCB與UBM粘附-等離子體處理改變晶片的鈍化層的形貌和潤(rùn)濕性促進(jìn)粘附。聚合物，如苯并環(huán)丁烯（BCB）和UBM，被分配在晶片作為介電層的再分配。等離子體處理改變了硅片原始鈍化層的形貌和潤(rùn)濕性，促進(jìn)了附著力。

介電圖案-形成再分配層的典型方法包括使用典型的光刻方法圖案化介電再分配材料。等離子體清洗是一種可行的替代介質(zhì)圖案化，典型的濕法處理方法是可以避免的。

通過(guò)對(duì)WLP 小的孔的清潔，在堆疊芯片應(yīng)用的晶片組成，常有殘留的結(jié)果是通過(guò)形成過(guò)程。優(yōu)化的等離子體結(jié)構(gòu)可以有效地處理通孔而不損傷晶片表面。

凹凸粘合-等離子清洗可以改善凹凸粘連，提高凹凸剪切強(qiáng)度。等離子清洗晶圓表面改善凹凸粘連，已被證明是大幅提高凹凸剪切強(qiáng)度。凹凸材料包括不同成分的焊料和金釘。