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多晶硅還原爐是提煉多晶硅棒的專用設(shè)備，高壓啟動(dòng)方式要求首先施高壓擊穿，使純硅成為電阻率較低的導(dǎo)體，進(jìn)而提升導(dǎo)通電流速度，使硅芯內(nèi)部溫度快速上升，大大縮短啟動(dòng)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。故而需要耐高溫的高絕緣性陶瓷材料，防止高溫高壓下絕緣失效，造成電擊穿。傳統(tǒng)氧化鋁材質(zhì)由于自身性能限制，使用壽命很短，故而氮化硅陶瓷材料成為其**。

??**一代優(yōu)質(zhì)多晶硅還原爐/氫化爐用高壓電極絕緣環(huán)、保護(hù)套、隔熱罩、絕緣套筒，采用氣壓燒結(jié)氮化硅，絕緣性好、韌性高、耐高溫、強(qiáng)度高、抗熱震，可防止倒棒時(shí)破壞電極，比氧化鋁材質(zhì)的同類產(chǎn)品壽命長10倍以上，減少停爐損失和更換成本，節(jié)約操作時(shí)間，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，綜合效益提高3倍。已在國內(nèi)得到廣泛應(yīng)用，與進(jìn)口產(chǎn)品性能相當(dāng)，獲得客戶一致好評(píng)。是國內(nèi)廣大多晶硅廠家提升產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率的**。

常規(guī)尺寸：

根據(jù)圖紙生產(chǎn)

優(yōu)點(diǎn)：

1. 冷等靜壓成型

2.氣壓燒結(jié)

3.高抗壓強(qiáng)度與抗折強(qiáng)度

4. 低熱膨脹系數(shù)

5.優(yōu)良的抗熱震性能

6.電絕緣性優(yōu)良

7.強(qiáng)耐電沖擊性

產(chǎn)品指標(biāo)：

參數(shù)：氣壓燒結(jié)氮化硅

密度：>3.2g/cm3

Si3N4 含量：>92%

抗折強(qiáng)度：>600Mpa

抗壓強(qiáng)度：>1500Mpa

導(dǎo)熱系數(shù)(W/mk)：16-22

氣孔率：0

熱膨脹系數(shù)(RT-1000℃)：3.2

**工作溫度（空氣 中）：1400℃

硬度(HRA)：>92