參考價(jià)格
面議型號(hào)
LEC坩堝品牌
國(guó)晶新材產(chǎn)地
山東樣本
暫無(wú)形狀:
-莫氏硬度:
-密度(kg/m3):
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一、產(chǎn)品概述:
液封直拉法(LEC)技術(shù)可生長(zhǎng)適用于直接離子注入的高純非摻雜半絕緣單晶或多晶等。
二、主要特點(diǎn):
1. 我公司可制作大規(guī)格坩堝(**直徑12inch,**高度17inch);
2. 純度高(>99.99%);
3. 1500℃下,a方向的熱導(dǎo)率是c方向的20倍以上,有利于形成單晶生長(zhǎng)所需的溫度梯度。
三、產(chǎn)品應(yīng)用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半導(dǎo)體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。
暫無(wú)數(shù)據(jù)!