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紅外光晶圓檢查顯微鏡 IR Light Wafer Inspection Microscope
紅外顯微鏡裝有長(zhǎng)工作距離的物鏡,三步變焦可以很容易選擇視野。
紅外傳感器鏡頭通過(guò)USB將圖像傳輸?shù)诫娔X。在物鏡5倍的條件下,分辨率可以優(yōu)于3 μm。另配有頂部光源,既可以作為傳統(tǒng)模式使用,又能進(jìn)行晶圓上面檢查。XY移動(dòng)臺(tái)可以ZUI大可以檢測(cè)8英寸以內(nèi)的晶圓,移動(dòng)臺(tái)用一個(gè)操縱桿進(jìn)行全自動(dòng)控制。實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,可以替換為精密的手動(dòng)調(diào)節(jié)臺(tái)。
由于紅外光可以透過(guò)硅,所以紅外顯微鏡被廣泛應(yīng)用于硅片上圖形的檢測(cè)。
idonus紅外顯微鏡裝有長(zhǎng)工作距離的物鏡,三步變焦可以很容易選擇視野。紅外傳感器鏡頭通過(guò)USB將圖像傳輸?shù)诫娔X。在物鏡5倍的條件下,分辨率可以優(yōu)于3 μm。另配有頂部光源,既可以作為傳統(tǒng)模式使用,又能進(jìn)行晶圓上面檢查。XY移動(dòng)臺(tái)可以ZUI大檢測(cè)8英寸以內(nèi)的晶圓,移動(dòng)臺(tái)用一個(gè)操縱桿進(jìn)行全自動(dòng)控制。實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,可以替換為精密的手動(dòng)調(diào)節(jié)臺(tái)。
應(yīng)用:
以下兩張圖片是用紅外光顯微鏡拍攝的。
在絕緣體上硅(SOI)晶圓片上制作的部分微結(jié)構(gòu)的俯視圖。
紅外圖像相同的地區(qū)經(jīng)過(guò)60分鐘的高頻氣相腐蝕。掩埋的二氧化硅的蝕刻變得可見(jiàn),這使得可以確定釋放和非釋放部分
idonus紅外顯微鏡的特點(diǎn):
1、背面紅外光源
2、頂部光源
3、XY移動(dòng)臺(tái)ZUI大可檢測(cè)晶圓尺寸8英寸
4、長(zhǎng)工作距離物鏡
5、三步變焦
6、紅外傳感器鏡頭
7、通過(guò)計(jì)算機(jī)查看
idonus紅外顯微鏡的應(yīng)用:
1、釋放后的MEMS器件的檢查
2、填埋材料的蝕刻速率測(cè)試(如SOI晶圓)
3、融熔接合的檢查
4、硅晶圓/碎片的背面校準(zhǔn)
5、質(zhì)量控制
idonus紅外顯微鏡的優(yōu)點(diǎn):
1、在較高的填充因子下的可靠的加工更小的MEMS圖案
2、頂部和背部光源
3、高分辨率(5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm)
4、更小的印跡
5、操作簡(jiǎn)單,快速顯示結(jié)果
產(chǎn)品型號(hào):IRM 200-auto可放置晶圓尺寸:200mm(8英寸)以內(nèi)
XY臺(tái)移動(dòng)距離:200 X 200 mm
XY臺(tái)移動(dòng)方式:通過(guò)操縱桿全自動(dòng)控制
產(chǎn)品型號(hào):IRM 100-man可放置晶圓尺寸:100mm(4英寸)以內(nèi)
XY臺(tái)移動(dòng)距離:100 X 100 mm
XY臺(tái)移動(dòng)方式:手動(dòng)
其他參數(shù):
光學(xué)分辨率:5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm
工作距離:32mm
放大倍數(shù):2.5X , 5X , 10X (5倍物鏡下)
變焦:三步變焦0.5X , 1X , 2X
攝像頭:黑白,USB接口輸出,分辨率140萬(wàn)像素
紅外光源波長(zhǎng):1 μm
可選配件:2.5X,10X,20X物鏡;10mm,150mm晶圓適配環(huán);圖像識(shí)別軟件
暫無(wú)數(shù)據(jù)!