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荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)LMBE
荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)LMBE

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荷蘭

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深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司

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脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)

產(chǎn)品描述:荷蘭TSST公司提供專(zhuān)業(yè)的脈沖激光沉積系統(tǒng)和激光分子束外延系統(tǒng)。

荷蘭Twente Solid State Technology BV(TSST)公司專(zhuān)注于為用戶(hù)提供定制化的脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD),以及相關(guān)薄膜制備解決方案,公司具有20多年研究與生產(chǎn)脈沖激光沉積系統(tǒng)的經(jīng)驗(yàn)。

TSST與世界**的納米與微系統(tǒng)技術(shù)研究中心之一荷蘭Twente大學(xué)MESA+ Institute保持著密切合作,開(kāi)發(fā)出各種脈沖激光沉積技術(shù)中需要使用的核心技術(shù)。

脈沖激光沉積原理:在真空環(huán)境下利用脈沖激光對(duì)靶材表面進(jìn)行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來(lái),再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。

激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE),是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的外延薄膜生長(zhǎng)技術(shù)。

在高氧氣壓力環(huán)境下實(shí)現(xiàn)RHEED原位監(jiān)控,曾是RHEED分析的一個(gè)重要難題,TSST**個(gè)提出差分抽氣的方式實(shí)現(xiàn)高壓環(huán)境下RHEED原位監(jiān)控---TorrRHEED,TSST是TorrRHEED的發(fā)明人,在系統(tǒng)制造和RHEED的使用,以及結(jié)果分析方面,有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

選件

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。

應(yīng)用領(lǐng)域:

單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3

壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3

鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4

熱電薄膜(SrTiO3

金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3

半導(dǎo)體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3

高K介質(zhì)薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5

超導(dǎo)薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)

光波導(dǎo),光學(xué)薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2

超疏水薄膜(PTFE)

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