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描述

該實驗裝置以汞燈546.1nm譜線為對象，研究塞曼效應。汞燈發(fā)出的譜線經(jīng)過聚光鏡，將發(fā)散的光線適當?shù)貐R聚，透過偏振片，經(jīng)過濾光片濾光后形成單色光，進入F-P標準具，形成干涉圓環(huán)，*后由鏡頭和CMOS相機成像。該裝置包含一個可調恒流電源，通過調節(jié)電流控制磁場的大小。當磁場足夠強時，能級開始分裂，產(chǎn)生不同的譜線，每一級干涉圓環(huán)分裂成多個干涉圓環(huán)，由專業(yè)的軟件進行圖像采集和數(shù)據(jù)分析，得到電子荷質比e/m的數(shù)值。當將電磁線圈旋轉90度時，重新微調光路，則可以平行于磁場方向觀測塞曼效應。

緊湊型設計

采用工業(yè)級高強度軌道，配合精巧的光機械設計，比傳統(tǒng)的裝置至少減少了1/3的空間。

電磁線圈為整套裝置提供連續(xù)可調的0-1.2T的勻強磁場，并有0-120度可旋轉結構，可以對橫向及縱向塞曼效應現(xiàn)象進行觀測。

高達1/100λ的法布里-帕羅標準具，可獲得K級至K-2級的9條分裂譜線。

F-P標準具的性能保證了譜線分裂明顯，線條清晰銳利。

CE安全認證

通過歐盟CE安全認證，嚴格按照CE標準進行品質控制。

典型實驗內容及數(shù)據(jù)

1，垂直于磁場方向觀測塞曼效應（Л線 ）

2，平行于磁場方向觀測塞曼效應（σ線）

3，根據(jù)K級至K-2級的9條分裂譜線，可驗證荷質比 e/m.

荷質比 e/m 測量結果的相對誤差小于 5%。

部件列表

BEM-5008 攝像單元(含鏡頭、CMOS相機)， f=50mm， 五百萬像素

BEM-5402 法布里泊羅標準具， 546.1nm

BEM-5403 干涉濾光器， 546.1nm

BEM-5404 偏振器

BEM-5405 聚光鏡， f=131.2mm

BEM-5203 精密調節(jié)架， Φ45mm， 2D

BEM-5213 水平可調精密調節(jié)架， Φ45mm， Travel=36mm ， 3D

BEM-5201-06 導軌，長 600mm

BEM-5204-50 托板，寬 50mm （3）

BEM-5205-25 升降調節(jié)架，可調范圍 25mm?。?）

BEM-5209-09 連接桿，長 90mm?。?）

BEM-5009 筆形汞燈， 10A， 3W

BEM-5010 電磁線圈， 5A， 1.2T

BEM-5202 連接塊

BEM-5012 可調直流恒流源， 6A

選配件

BEM-5032A 特斯拉計，0-2000mT， 精度0.1mT

包裝清單

實驗裝置1套（詳見部件清單），電源線1根，紅黑導線各1根，USB線1根，軟件光盤1張，手冊1本。