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Intense**的QWI技術(shù)可以增大半導(dǎo)體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內(nèi)產(chǎn)生有源區(qū)和無(wú)源區(qū)，并在腔面形成一種無(wú)源吸收反射鏡（NAMs），可有效地避免其他半導(dǎo)體激光器件常見(jiàn)的光學(xué)災(zāi)變（COMD），性能更可靠穩(wěn)定。產(chǎn)品包括：高功率可見(jiàn)光和近紅外半導(dǎo)體激光器器件和陣列，可獨(dú)立尋址的半導(dǎo)體激光器陣列。
主要特點(diǎn)
·Series 5200: 635-655nm，功率1.5W-6W
·Series 5300: 670-690nm，功率2.5W-10W
·高效率耦合、輕易操作接口
·數(shù)個(gè)Series1200或Series1300聯(lián)合
·應(yīng)用包括光動(dòng)力療法、照明、醫(yī)療成像和診斷
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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