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1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)

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產(chǎn)地

遼寧

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沈陽科晶自動化設備有限公司

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1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設計的,特別是應用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。

產(chǎn)品型號

1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

安裝條件

本設備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:設備配有自循環(huán)冷卻水機(加注純凈水或者去離子水)

2、電:AC380V 50Hz(63A空氣開關),必須有良好接地

3、氣:設備腔室內(nèi)需充注氬氣(純度99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶?6mm雙卡套接頭)

4、工作臺:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上

5、通風裝置:需要

主要特點

1、采用高純氧化鋁保溫材料,保證了極好的溫度均勻性。

2、內(nèi)爐膛表面涂有美國進口氧化鋁涂層,可以提高反射率和保護爐膛潔凈度。

3、采用PID控制器,可以設置30段升降溫程序。

4、金屬箔纏繞在內(nèi)管的外表面上發(fā)生CVD反應。

5、采用雙管真空密封法蘭,允許反應氣體通過兩管之間(10mm間隙)。

6、冷卻氣體直接通入內(nèi)管。

7、配有帶KF25快接和波紋管的高速機械泵。

8、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端,從而實現(xiàn)快速升溫和降溫。為了獲得較快的加熱速度,可以先將爐體預熱,然后滑至放置樣品處;為了獲得較快的冷卻速度,可將爐體滑至另一端,同時將冷氣通入樣品所在處。

9、密封法蘭系統(tǒng)采用不銹鋼制作。

10、已通過CE認證。

技術參數(shù)

管式爐

1、電源:單相AC208V-240V 50Hz/60Hz 2.5KW(20A保險絲)

2、石英管:外管外徑?100mm,內(nèi)徑?96mm,長1400mm

內(nèi)管外徑?80mm,內(nèi)徑?75mm,長1400mm

3、加熱元件:摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯)

4、加熱區(qū)域:440mm

5、恒溫區(qū)域:120mm(±1℃在400-1100℃)

6、工作溫度:**1100℃,連續(xù)工作1000

7、**升降溫速率:20/min

8、控溫精度:±1

9、真空度:10-2torr(機械泵),10-5torr(分子泵)

質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)

1、質(zhì)子流量計:4路精密質(zhì)子流量計,數(shù)字顯示,氣體流量自動控制

MFC1范圍0-100sccmMFC2范圍0-200sccm,MFC3范圍0-200sccm,MFC4范圍0-500sccm

2、流量精度:0.2%

3、氣路:4路(每個氣路都有一個獨立的不銹鋼針閥控制)

4、進出氣口:1/4"卡套

5、混氣罐:1

產(chǎn)品規(guī)格

尺寸:管式爐550mm×380mm×520mm,移動架600mm×600mm×597mm

重量:135kg

可選配件

1、分子泵

2、雙溫區(qū)管式爐

3、銅箔(生長石墨烯150mm×150mm×25μm

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