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SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備,可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運行。根據(jù)金屬的屬性,本機可采用中頻感應(yīng)加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱方式;采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫,使結(jié)晶體按照一定的直徑進行控制。
產(chǎn)品型號 | SKJ-M50-16金屬晶體生長爐 |
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(加注純凈水或者去離子水) 2、電:AC380V 50Hz(63A空氣開關(guān)),必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣(純度99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶?6mm雙卡套接頭) 4、工作臺:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上 5、通風(fēng)裝置:需要 |
主要特點 | 屬于小型晶體生長爐,適合于大專院校、研究所使用。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、電源:208V-240V AC三相50Hz/60Hz 15KW 2、爐體容積:約100L 3、爐管:石英管或剛玉管 4、坩堝:高純石墨坩堝 5、加熱元件:1800級硅鉬棒 6、溫控系統(tǒng):50段控溫程序 7、控溫精度:±1℃ 8、工作溫度:連續(xù)工作1600℃,短時間工作1700℃ 9、控溫方式:自動程序控溫 10、生長方法:區(qū)熔法(樣品固定不動,爐體向上移動) 11、移動速度:1mm/h-10mm/h可調(diào) 12、快速移動:手動 13、結(jié)晶轉(zhuǎn)速:1rpm-50rpm 14、真空系統(tǒng):機械泵和擴散泵 15、極限真空度:10-5torr |
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1、電源控制系統(tǒng)一套 2、機械控制系統(tǒng)一套 |
可選配件 | Kathnal Super-1800級硅鉬棒 |
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