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產(chǎn)品簡介:GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),基本溫度低,沉積速率快,在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂,適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件,可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
產(chǎn)品型號(hào) | GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積 | ||
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)(加注純凈水或者去離子水) 2、電:AC380V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣(純度99.99%以上),需自備實(shí)驗(yàn)所需氣體氣瓶(自帶?10mm雙卡套接頭)及減壓閥 4、場(chǎng)地:設(shè)備尺寸2200×2000mm×1500mm,承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置:需要 | ||
主要特點(diǎn) | 1、所需成膜溫度低 2、沉積速率快,應(yīng)用廣泛 3、體積小,操作簡便 4、采用射頻為增強(qiáng)源易于控制 5、清理安裝便捷。 6、一體化觸摸屏控制 | ||
技術(shù)參數(shù) | 1、系統(tǒng)采用單室筒式結(jié)構(gòu),手動(dòng)前開門; 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造(304),氬弧焊接,表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口,并帶擋板,真空有效尺寸為Φ300mm×300mm; 3、極限真空度:≤6.67x10-4Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用600L/S分子泵抽氣,前級(jí)采用4L/S); 系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa,40分鐘可達(dá)到; 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度:≤5 Pa; 4、采用樣品在下,噴淋頭在上的電容式耦合方式進(jìn)氣; 5、樣品加熱**加熱溫度:500℃,溫控精度:±1°C,采用控溫表進(jìn)行控溫; 6、噴淋頭尺寸:Φ90mm,噴淋頭與樣品之間電極間距40-100mm在線連續(xù)可調(diào)(可根據(jù)工藝調(diào)整),并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示; 7、 沉積工作真空:0.133-133Pa(可根據(jù)工藝調(diào)整); 8、射頻電源:頻率 13.56MHz,**功率500W,全自動(dòng)匹配; 9、.氣體種類(用戶提供),使用質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。 10、系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(用戶自備)。 | ||
產(chǎn)品規(guī)格 | 整機(jī)尺寸:1200x1500x1500mm; | ||
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空機(jī)組 | 1套 | |
3 | 真空測(cè)量 | 1套 |
暫無數(shù)據(jù)!