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國(guó)標(biāo)GBT1409介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀符合標(biāo)準(zhǔn)：

ASTM D150-11實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法；

GB/T1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法；

一、符合標(biāo)準(zhǔn)：

ASTM D150-11實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法；

GB/T1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法；

GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法；

GBT5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第4部分:介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法；

二、主機(jī)及夾具參數(shù)：

三、配置：

我司經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品包括：

LJC系類電壓擊穿試驗(yàn)儀

ATI系類體積表面電阻率測(cè)試儀

LJD系類介電常數(shù)測(cè)試儀

LDQ-2漏電起痕試驗(yàn)儀

JF系類氧指數(shù)測(cè)定儀

CZF系類水平垂直燃燒測(cè)定儀

WDW系類電子**試驗(yàn)機(jī)

XRW系列熱變形維卡溫度測(cè)定儀

XNR系類熔體流動(dòng)速率測(cè)定儀

ZJJ系類沖擊試驗(yàn)機(jī)

MDJ系類固體/液體等材料的密度測(cè)試儀

3.介電常數(shù)測(cè)試儀術(shù)語

3.1 定義：

3.1.1 這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)D1711。

3.2 本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語定義：

3.2.1 電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：

C=q/V 　　　　　　　　　?。?）

3.2.2 耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

D=K''/K' 　　　　(2)

⁴　相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn)，可瀏覽ASTM網(wǎng)站，或與ASTM客服service@********聯(lián)系。ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)卷次信息，可參見ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。

⁵　該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版本參考網(wǎng)站。

3.2.2.1 討論——a：

D=tanδ=cotθ=X_p/R_p=G/ωC_p=1/ωC_pR_p　　　　　　　　(3)

式中：

G=等效交流電導(dǎo)，

X_p=并聯(lián)電抗，

R_p=等效交流并聯(lián)電阻，

C_p=并聯(lián)電容，

ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

D=ωR_sC_s=1/ωR_pC_p　　　　　　　　(4)

串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

C_p=C_s/(1 D²) 　　　　　　　　　　　　(5)

R_p/R_s=(1 D²)/D²=1 (1/D²)=1 Q²　　　　　　　　　　　　　(6)

4、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入LJD-B)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化，tanδ 測(cè)量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測(cè)量的同一性，是人工讀值和人工計(jì)算無法比擬的。

三、主要技術(shù)特性及配置

主要配置

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)高的160MHz.LJD-C介電常數(shù)測(cè)試儀采用了多項(xiàng)技術(shù)。

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。

雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。

自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。

全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至z低，消除 Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

二、主要技術(shù)特性：

*1.信號(hào)源: DDS數(shù)字合成信號(hào) 100KHZ-160MHZ

*2.信號(hào)源頻率精度3×10-5 ±1個(gè)字，6位有效數(shù)

3．Q值測(cè)量范圍：1～1023

4．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；

*5．電感測(cè)量范圍：1nH～140mH 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能

*6．電容直接測(cè)量范圍：1pF～25nF

7．主電容調(diào)節(jié)范圍： 17～240pF

8．準(zhǔn)確度 150pF以下±1pF；150pF以上±1%

9．信號(hào)源頻率覆蓋范圍100kHz～160MHz

10．合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000

11．環(huán)境溫度：0℃～+40℃；

12．消耗功率：約25W；電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

13. S916（數(shù)顯）介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)試裝置：

數(shù)顯式微桿，平板電容器：

極片尺寸： 38mm

極片間距可調(diào)范圍：≥15mm

夾具插頭間距：25mm±0.01mm

夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）

測(cè)微桿分辨率：0.001mm

測(cè)試極片：材料測(cè)量直徑Φ38mm厚度可調(diào) ≥ 15mm

*液體杯：測(cè)量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm

14. 介電常數(shù)測(cè)試儀/GB/T1409-2006介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀/相對(duì)介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試儀/GB/T1693-2007硫化橡膠高頻介電常數(shù)測(cè)試儀/工頻介電常數(shù)測(cè)試儀/固體介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀/液體介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀/材料介質(zhì)損耗和電容率測(cè)試儀/阻抗分析儀/GBT5594.4-2015陶瓷件介電常數(shù)測(cè)試儀/ASTM D150-11交流損耗特性和電容率測(cè)試儀/介電常數(shù)及介損測(cè)試儀電感組LKI-1：

分別有0.05μH、0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH十個(gè)電感組成。

三、配置：

主機(jī) 一臺(tái)

電感 九支

夾具 一套

液體杯 一套

隨機(jī)文件一套