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ALD原子層沉積技術(shù)
NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供**的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)特點：NLD-3500是一款緊湊型獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權(quán)保護功能。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設(shè)計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3， AlN， TiN， ZrO2， LaO2， HfO2，等等）。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。NLD-3500系統(tǒng)提供12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，非常方便腔體的訪問和清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含多達7個50ml的加熱汽缸，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)選配：NLD-3500系統(tǒng)的選配項包含自動L/UL上下載(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。
NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用：
Oxides氧化物: Al203， HfO2， La2O3， SiO2， TiO ZnO， In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN， TiN， TaN， etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.
Nano laminates納米復(fù)合材料
暫無數(shù)據(jù)！
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