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PECVD沉積技術(shù)

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO₂， Si₃N₄， 或DLC薄膜到**可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10^-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有****氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿(mǎn)足廣大范圍的要求，無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋*廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用：

1. 等離子誘導(dǎo)表面改性：就是通常所說(shuō)的用等離子實(shí)現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)

2. 等離子清洗：去除有機(jī)污染物

3. 等離子聚合：對(duì)材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng)

4. 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類(lèi)金剛石)，以及其它薄膜

5. CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長(zhǎng)：在需要的位置生長(zhǎng)CNT或石墨烯。

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)特點(diǎn)：

• 緊湊型獨(dú)立式系統(tǒng)

• 不銹鋼或鋁制腔體

• 極限真空可達(dá)10-7Torr

• RF淋浴頭，HCD或微波等離子源

• 高達(dá)12”(300mm)直徑的樣品臺(tái)

• RF射頻偏壓樣品臺(tái)

• 水冷樣品臺(tái)

• 可加熱到的800 °C樣品臺(tái)

• 加熱的氣體管路

• 加熱的液體傳送單元

• 抗腐蝕的渦輪分子泵組

• 1路載體氣體以及3路反應(yīng)氣體，帶MFC

• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制

• 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問(wèn)保護(hù)

• 完整的安全聯(lián)鎖