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NRE-4000 (M)反應(yīng)離子刻蝕
NRE-4000 (M)反應(yīng)離子刻蝕

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產(chǎn)地

美國

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那諾-馬斯特中國有限公司

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反應(yīng)離子刻蝕

NRE-4000(M)反應(yīng)離子刻蝕概述:

NRE-4000是一款獨立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng),配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持**到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓該自偏壓可以高達-500V.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示流量及功率則以數(shù)字形式實時顯示.系統(tǒng)提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級,以及維護人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動執(zhí)行程序模式(操作模式)運行系統(tǒng)?;谌詣拥目刂?,該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。

NRE-4000(M)反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點:

  • 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體

  • 不銹鋼立柜

  • 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬

  • 典型的硅刻蝕速率,400 ?/min

  • 高達12”的陽極氧化鋁RF樣品臺

  • 水冷及加熱的RF樣品臺

  • 大自偏壓

  • 淋浴頭氣流分布

  • 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可以達到10-6Torr級別

  • 渦輪分子泵

  • *多支持8MFC

  • 無繞曲氣體管路

  • 自動下游壓力控制

  • 雙刻蝕能力支持:RIE以及PE刻蝕(可選)

  • 終點監(jiān)測

  • 氣動升降頂蓋

  • 手動上下載片

  • 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

  • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護

  • 完全的安全聯(lián)鎖

  • 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺,用于深硅刻蝕

NRE-4000(M)反應(yīng)離子刻蝕 Features:

  • Aluminum or Stainless Steel Chamber

  • Stainless Steel Cabinet

  • Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals

  • Typical Si etch rate, 400 ?/min

  • Up to 12“ Anodized RF Platen

  • Water Cooled and Heated RF Platen

  • Large Self Bias

  • Shower Head gas distribution

  • Approximately 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure

  • Turbomolecular Pump

  • Up to eight MFCs

  • No flexing of gas lines

  • Down Stream Pressure Control

  • Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)

  • End Point Detection

  • Pneumatically Lifted Top

  • Manual loading/unloading

  • PC Controlled with LabVIEW

  • Recipe Driven, Password Protected

  • Fully Safety Interlocked

  • Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

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10分

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10分

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