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磁控濺射技術
NSC-4000(M)磁控濺射系統(tǒng)概述:
NANO-MASTER杰出的濺射系統(tǒng)可構建成多腔體和多蒸發(fā)源的配置,在介質上濺射金屬和介質材料,**可支持200mm的襯底。系統(tǒng)可以配置DC直流、RF射頻和Pulse DC脈沖直流等電源來進行序列濺射或共濺射。
系統(tǒng)使用渦輪分子泵組,工藝腔極限真空可達5 x 10-7Torr??梢酝ㄟ^調節(jié)靶基距,實現所需要的均勻度和沉積速率的調節(jié)。旋轉樣品臺可提供薄膜**的均勻性。
自動膜厚監(jiān)控儀可提供以目標膜厚為工藝終點條件的全自動工藝控制,達到目標膜厚時系統(tǒng)將自動停止工藝。樣品臺**可加熱到800度,并可提供射頻偏壓。
NSC-4000(M)磁控濺射系統(tǒng)產品特點:
電拋光14"立方體或21"x21"x22"不銹鋼優(yōu)化蒸鍍腔體
680 l/sec 渦輪分子泵,串接機械泵或干泵
4x 15CC pocket電子槍
電子束源和基片遮板
6KW開關電源,杰出的消弧性能
自動Pocket索引以及可編程的掃描控制器
膜厚監(jiān)測,可設置目標膜厚作為工藝終點條件
旋轉樣品臺,提供高均勻性
帶觀察視窗的腔門,便于放片/取片
PC全自動控制,具有高度的可重復性
Labview軟件的計算機全自動工藝控制控
多級密碼保護的授權訪問設計
EMO保護以及完全的安全聯鎖
NSC-4000(M)磁控濺射系統(tǒng)選配項:
基板支持加熱(**可達800°C)或冷卻
支持旋轉GLAD斜角入射沉積
腔體尺寸可定制
1.5-5KW脈沖之流電源用于ITO/ZnO等類似材料
傾斜磁控槍
射頻偏壓樣品臺
離子源用于基片預清洗
離子輔助濺射
增加RF電源和DC電源用于共濺射
增加熱蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源
增加MFC用于反應濺射
自動上下片
其它包含冷泵等的各種真空泵選配
NSC-4000(M)磁控濺射系統(tǒng)應用:
晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質涂覆
光學涂覆和ITO涂覆
保護涂層
帶高溫樣品臺和脈沖DC電源的硬涂層
微電子圖案
OLED應用中的TCO透明導電薄膜** 硬涂層
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