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單光子計(jì)數(shù)模塊|硅APD探測模塊SPDSi|Si-APD單光子探測器
單光子計(jì)數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm,可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi特有的高性能主動(dòng)抑制電路,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測,并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實(shí)現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制,從而將Si APD的性能發(fā)揮到**狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%,暗計(jì)數(shù)200-2000 cps,死時(shí)間小于50 ns。
SPDSi標(biāo)準(zhǔn)型號的有效光敏探測面積**可達(dá)500 um,單光子計(jì)數(shù)信號在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號,并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設(shè)計(jì)便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成。
APD通過模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下,以獲得**的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制。控制精度可達(dá)±0.2 ℃。
技術(shù)特點(diǎn):
高探測效率:65%@700 nm
500 um光敏面積
TTL數(shù)字信號輸出
低暗計(jì)數(shù)
低后脈沖
低時(shí)間抖動(dòng)
應(yīng)用領(lǐng)域:
熒光測量
激光測距
量子通信
光譜測量
光子關(guān)聯(lián)
自適應(yīng)光學(xué)
Fig1. 量子效率 | Fig2. Si單光子探測器 |
Fig3. Si單光子探測器結(jié)構(gòu)圖
產(chǎn)品參數(shù):
參數(shù)規(guī)格 參數(shù) | 值 | 單位 |
供電電壓*1 | 22 -28 | V |
供電電流 | 0.5 | A |
光譜響應(yīng)范圍 | 200 ----1060 | nm |
探測效率 @200 nm @700 nm @850 nm @1060 nm | 2 65 45 3 | % |
暗計(jì)數(shù) | 200 -2000 | cps |
死時(shí)間 | 50 | ns |
后脈沖 | 3 - 8 | % |
時(shí)間抖動(dòng) | 300 - 500 | ps |
飽和計(jì)數(shù)率*2 | 10 | Mcps |
光敏面積 | 500 | um |
APD制冷溫度 | -20 | ℃ |
工作溫度 | -15 - +50 | ℃ |
輸出信號電平 | LVTTL | |
輸出信號脈寬 | 530 | ns |
門脈沖輸入電平 Disable=LVTTL low Enable=LVTTL high | 0-0.4 2 -3.3 | V |
產(chǎn)品說明:
1.不正確的電壓可能損壞模塊,應(yīng)保證接入電源不高于28V,并可提供足夠電流。
2.APD屬于高靈敏光電探測器件,在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號強(qiáng)度,過高的光強(qiáng)可能損壞APD,這種損害可能降低APD的探測靈敏度,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐啥O管擊穿。
3.在特殊的應(yīng)用場景下,應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過50 ℃,過高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升,從而引起暗計(jì)數(shù)水平升高。
4.SPDSi的默認(rèn)死時(shí)間為50ns。死時(shí)間設(shè)定會影響模塊的**計(jì)數(shù)率,當(dāng)死時(shí)間設(shè)定在50ns時(shí),**計(jì)數(shù)率為10Mcps,如您的應(yīng)用對死時(shí)間設(shè)定有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系。
5.同樣,輸出信號的脈寬也會影響**計(jì)數(shù)率,典型脈寬為30 ns,如您的應(yīng)用對輸出信號有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系。
6.SPDSi支持空間和光纖接口接入。
單光子探測器選型:
暫無數(shù)據(jù)!