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單光子探測器
單光子探測器

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上海

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暫無
上海尖豐光電技術(shù)有限公司

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單光子計(jì)數(shù)模塊|硅APD探測模塊SPDSi|Si-APD單光子探測器

單光子計(jì)數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm,可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi特有的高性能主動(dòng)抑制電路,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測,并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實(shí)現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制,從而將Si APD的性能發(fā)揮到**狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%,暗計(jì)數(shù)200-2000 cps,死時(shí)間小于50 ns。

SPDSi標(biāo)準(zhǔn)型號的有效光敏探測面積**可達(dá)500 um,單光子計(jì)數(shù)信號在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號,并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設(shè)計(jì)便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成。

APD通過模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下,以獲得**的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制。控制精度可達(dá)±0.2 ℃。

技術(shù)特點(diǎn):

  • 高探測效率:65%@700 nm

  • 500 um光敏面積

  • TTL數(shù)字信號輸出

  • 低暗計(jì)數(shù)

  • 低后脈沖

  • 低時(shí)間抖動(dòng)

應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 熒光測量

  • 激光測距

  • 量子通信

  • 光譜測量

  • 光子關(guān)聯(lián)

  • 自適應(yīng)光學(xué)

Fig1. 量子效率

Fig2. Si單光子探測器

Fig3. Si單光子探測器結(jié)構(gòu)圖

產(chǎn)品參數(shù):

參數(shù)規(guī)格 參數(shù)

單位

供電電壓*1

22 -28

V

供電電流

0.5

A

光譜響應(yīng)范圍

200 ----1060

nm

探測效率

@200 nm

@700 nm

@850 nm

@1060 nm

2

65

45

3

%

暗計(jì)數(shù)

200 -2000

cps

死時(shí)間

50

ns

后脈沖

3 - 8

%

時(shí)間抖動(dòng)

300 - 500

ps

飽和計(jì)數(shù)率*2

10

Mcps

光敏面積

500

um

APD制冷溫度

-20

工作溫度

-15 - +50

輸出信號電平

LVTTL

輸出信號脈寬

530

ns

門脈沖輸入電平

Disable=LVTTL low

Enable=LVTTL high

0-0.4

2 -3.3

V

產(chǎn)品說明

1.不正確的電壓可能損壞模塊,應(yīng)保證接入電源不高于28V,并可提供足夠電流。

2.APD屬于高靈敏光電探測器件,在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號強(qiáng)度,過高的光強(qiáng)可能損壞APD,這種損害可能降低APD的探測靈敏度,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐啥O管擊穿。

3.在特殊的應(yīng)用場景下,應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過50 ℃,過高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升,從而引起暗計(jì)數(shù)水平升高。

4.SPDSi的默認(rèn)死時(shí)間為50ns。死時(shí)間設(shè)定會影響模塊的**計(jì)數(shù)率,當(dāng)死時(shí)間設(shè)定在50ns時(shí),**計(jì)數(shù)率為10Mcps,如您的應(yīng)用對死時(shí)間設(shè)定有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系。

5.同樣,輸出信號的脈寬也會影響**計(jì)數(shù)率,典型脈寬為30 ns,如您的應(yīng)用對輸出信號有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系。

6.SPDSi支持空間和光纖接口接入。

單光子探測器選型

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

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10分

易用性

10分

性價(jià)比

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