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近紅外CMOS數(shù)字相機(jī) CONTOUR-IR
產(chǎn)品描述:
美國(guó)近紅外CMOS數(shù)字照相機(jī),帶USB2.0接口,設(shè)計(jì)用于個(gè)人電腦或 筆記本電腦上。USB2.0接口高達(dá)400兆/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率使得我們能夠在計(jì) 算機(jī)上對(duì)圖片靈活的實(shí)時(shí)操縱,即使是在百萬(wàn)像素下設(shè)置的幀格式。該相 機(jī)采用**CMOS 傳感器,提高了相機(jī)的敏感度,每個(gè)照相單元中都含有 微透鏡和級(jí)聯(lián)式增強(qiáng)。相機(jī)在使用時(shí)通過(guò)USB 數(shù)據(jù)線與電腦連接。該相機(jī) 廣泛應(yīng)用于科學(xué)、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域(如技術(shù)設(shè)備、機(jī)器視覺(jué)、顯微接口、 測(cè)量相機(jī)、天文相機(jī)等)。
產(chǎn)品特點(diǎn):
1、支持高速USB2.0 接口
2、WDM 軟件支持與任何其它開(kāi)發(fā)程序共同使用
3、高靈敏度的CMOS 傳感器中每個(gè)光學(xué)單元均含有微透鏡和級(jí)聯(lián)式增強(qiáng)
4、可隨時(shí)抓拍單一圖象和視頻
5、8比特亮度信號(hào)
6、光譜響應(yīng)范圍寬,400-1700nm
7、應(yīng)用電腦調(diào)整相機(jī)參數(shù)
8、可自動(dòng)調(diào)整曝光時(shí)間、放大倍數(shù)及白平衡
9、根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)中的刷新頻率,相機(jī)輸出實(shí)時(shí)數(shù)字視頻信號(hào)
別:
CMOS與CCD的區(qū)別:
1.制造成像過(guò)程 CCD與CMOS圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同,他們*主要的差別在于信 號(hào)的讀出過(guò)程不同;由于CCD僅有一個(gè)(或少數(shù)幾個(gè))輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出, 其信號(hào)輸出的一致性非常好;而CMOS芯片中,每個(gè)像素都有各自的信號(hào) 放大器,各自進(jìn)行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換,其信號(hào)輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號(hào),要求輸出放大器的信號(hào)帶寬較寬,而在CMOS 芯 片中,每個(gè)像元中的放大器的帶寬要求較低,大大降低了芯片的功耗,這 就是CMOS芯片功耗比CCD要低的主要原因。盡管降低了功耗,但是數(shù)以 百萬(wàn)的放大器的不一致性卻帶來(lái)了更高的固定噪聲,這又是CMOS相對(duì) CCD的固有劣勢(shì)。
2.集成性 從制造工藝的角度看,CCD中電路和器件是集成在半導(dǎo)體單晶材料上,工 藝較復(fù)雜,世界上只有少數(shù)幾家廠商能夠生產(chǎn)CCD晶元,如DALSA、 SONY、松下等。CCD僅能輸出模擬電信號(hào),需要后續(xù)的地址譯碼器、模 擬轉(zhuǎn)換器、圖像信號(hào)處理器處理,并且還需要提供三組不同電壓的電源同 步時(shí)鐘控制電路,集成度非常低。而CMOS是集成在被稱作金屬氧化物的 半導(dǎo)體材料上,這種工藝與生產(chǎn)數(shù)以萬(wàn)計(jì)的計(jì)算機(jī)芯片和存儲(chǔ)設(shè)備等半導(dǎo) 體集成電路的工藝相同,因此生產(chǎn)CMOS的成本相對(duì)CCD低很多。同時(shí) CMOS芯片能將圖像信號(hào)放大器、信號(hào)讀取電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、圖像信號(hào) 處理器及控制器等集成到一塊芯片上,只需一塊芯片就可以實(shí)現(xiàn)相機(jī)的的 所有基本功能,集成度很高,芯片級(jí)相機(jī)概念就是從這產(chǎn)生的。隨著 CMOS成像技術(shù)的不斷發(fā)展,有越來(lái)越多的公司可以提供高品質(zhì)的CMOS成 像芯片,包括:Micron、 CMOSIS、Cypress等。
3.速度 CCD采用逐個(gè)光敏輸出,只能按照規(guī)定的程序輸出,速度較慢。CMOS有 多個(gè)電荷—電壓轉(zhuǎn)換器和行列開(kāi)關(guān)控制,讀出速度快很多,大部分500fps以 上的高速相機(jī)都是CMOS相機(jī)。此外CMOS 的地址選通開(kāi)關(guān)可以隨機(jī)采樣, 實(shí)現(xiàn)子窗口輸出,在僅輸出子窗口圖像時(shí)可以獲得更高的速度。
4.噪聲 CCD技術(shù)發(fā)展較早,比較成熟,采用PN結(jié)或二氧化硅(SiO2)隔離層隔離 噪聲,成像質(zhì)量相對(duì)CMOS光電傳感器有一定優(yōu)勢(shì)。由于CMOS圖像傳感器 集成度高,各元件、電路之間距離很近,干擾比較嚴(yán)重,噪聲對(duì)圖像質(zhì)量 影響很大。隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷發(fā)展,為生產(chǎn)高密度優(yōu)質(zhì)的 CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。
暫無(wú)數(shù)據(jù)!