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IRD-GE-10 Ge超大光敏面鍺光電二極管(10mm)-近紅外波長
產(chǎn)品描述
筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。
我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。
為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。
產(chǎn)品特點(diǎn):
•小光敏面大光敏面可選 (100μm to 25mm)
• 800nm to 1800nm 光譜響應(yīng)
•高線性> 10 dBm
•可以定制透鏡組合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)
•封裝方式可選(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)
應(yīng)用領(lǐng)域
激光功率計(jì)
•LED/LD老化診斷
•光譜學(xué)
•LED/LD特性
•眼睛安全激光檢測傳感器
技術(shù)參數(shù)、
Specifications | |
探測材料 | Ge |
響應(yīng)波長 | 800 - 1800 nm |
峰值波長 | 1550 nm (Typ.) |
響應(yīng)度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直徑 | 78.5 mm2 (?10mm) |
上升/下降沿時(shí)間 (RL = 50 Ohms, 10 V) | 500 ns / 500 ns (Typ.) |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗電流 (5 V) | 60 μA (Max.) |
電容(10 V)電容(0 V) | 1800 pF (Max.)16000 pF (Max.) |
分流電阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封裝形式 | TO-8 |
Max Ratings | |
**擊穿打壓 | 10 V |
操作溫度 | -55 to 60 °C |
存儲溫度 | -55 to 60 °C |
注1:典型值;RL = 50 Ω,除非另有說明
2.NEP指定在光伏模式下
光譜響應(yīng)曲線:
推薦電路:
訂購型號:
型號: IRD-GE-10 單價(jià):3950元/片 庫存數(shù)量:5只
描述:
光譜響應(yīng)范圍:800-1800nm
直徑:10mm;
響應(yīng)度@1550nm:0.85 A/W
2Pin腳
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