看了Si ATR棱鏡的用戶又看了
虛擬號將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號
Si ATR棱鏡
光學(xué)級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 更高的電阻率材料可客戶定制,特別是對于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ,其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ,可以提供沒有這種吸收的浮區(qū)材料。
硅主要用作3至5um波段的光學(xué)窗口并用作光學(xué)濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實(shí)驗(yàn)中的中子靶。
硅通過Czochralski拉伸技術(shù)(CZ)生長并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況,硅可以通過浮區(qū)(FZ)工藝制備。 光學(xué)硅通常輕摻雜(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段**透射。 硅具有30至100um的另一通帶,其僅在非常高電阻率的未補(bǔ)償材料中有效。 摻雜通常是硼(p型)和磷(n型)。
詳細(xì)參數(shù):
透射范圍:1.2?15μm(1)
折射率: 3.4223 @5μm(1)(2)
反射損耗: 46.2%(5μm)(2個表面)
吸收系數(shù): 0.01cm -1 at 3μm
吸收峰: n / a
dn / dT: 160×10-6 /℃(3)
dn /dμ= 0: 10.4μm
密度: 2.33g / cc
熔點(diǎn): 1420℃
熱導(dǎo)率: 273.3W m-1 K-1
熱膨脹: 2.6×10 -6 /℃at20℃
硬度: Knoop 1150
比熱容: 703JKg-1K-1
介電常數(shù): 13 at 10GHz
楊氏模量(E): 131GPa(4)
剪切模量(G): 79.9GPa(4)
體積模量(K): 102GPa
彈性系數(shù): C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80(4)
表觀彈性極限: 124.1MPa(18000 psi)
泊松比: 0.266(4)
溶解性:不溶于水
分子量: 28.09
類別/結(jié)構(gòu): 立方鉆,Fd3m
折射率:
No = Ordinary Ray
μm | No | μm | No | μm | No |
1.357 | 3.4975 | 1.367 | 3.4962 | 1.395 | 3.4929 |
1.5295 | 3.4795 | 1.660 | 3.4696 | 1.709 | 3.4664 |
1.813 | 3.4608 | 1.970 | 3.4537 | 2.153 | 3.4476 |
2.325 | 3.4430 | 2.714 | 3.4358 | 3.000 | 3.4320 |
3.303 | 3.430 | 3.500 | 3.4284 | 4.000 | 3.4257 |
4.258 | 3.4245 | 4.500 | 3.4236 | 5.000 | 3.4223 |
5.500 | 3.4213 | 6.000 | 3.4202 | 6.500 | 3.4195 |
7.000 | 3.4189 | 7.500 | 3.4186 | 8.000 | 3.4184 |
8.500 | 3.4182 | 10.00 | 3.4179 | 10.50 | 3.4178 |
11.04 | 3.4176 |
訂購信息:
IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.
梯形
產(chǎn)品型號: SICZPRISM80-10-4-45
IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.
梯形
暫無數(shù)據(jù)!