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PIN-FET光纖耦合探測器組件-DIL封裝
PIN-FET光纖耦合探測器組件-DIL封裝

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面議

型號

品牌

產(chǎn)地

加拿大

樣本

暫無
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司

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PIN-FET光纖耦合探測器組件-DIL封裝

MPGD45211Z型差分輸出PIN模塊

主要特點:

1.DIP8密封金屬封裝

2.差分信號輸出

3.多種跨阻值可供選擇

4.高靈敏度

5.3種峰值響應波長

6.質(zhì)量等級:M1

7.標準號:Q/UH173-2009

主要用途:

1.光纖陀螺

2.光纖傳感器

3.光纖相干層析成像系統(tǒng)

**額定值

參數(shù)

符號

**額定值

單位

正電源

Vcc

+5.5

V

負電源

Vss

-5.5

V

工作溫度范圍

Tamb

-45-+70

存儲溫度范圍

Tstg

-55-+85

推薦工作條件

參數(shù)

符號

**額定值

單位

正電源

Vcc

+5

V

負電源

Vss

-5

V

光電特性

Vcc=+5V,Vss=-5V

參數(shù)名稱

噪聲電壓

電壓響應度

帶寬

靈敏度

增益一致性

符號

Vn

Re

Bw

Sr

測試條件 (Vss-5V

Vcc5V -45℃70℃)

RL=1M?

λ=850/1310/1550nm a

f=DC

φe(-30±0.2)dBm

λ=850/1310/1550nm a

RL=1M? φe=(-30±0.2)dBm b

Φe=(-40±0.2)dBmc

λ=850/1310/1550nm a

RL=1M?

f10kHz

λ=850/1310/1550nm a

RL=1M?

φe(-30±0.2)dBm b

φe(-40±0.2)dBm c

-1AS

≤20

≥0.025*106

15

≤-39.5

≥98%

-1AL

≥0.043×106

≤-42

-2AS

≥0.05×106

8

≤-40.5

-2AL

≥0.085×106

≤-43

-3AS

≥0.075×106

5

≤-42.5

-3AL

≥0.13×106

≤-45

-4AS

≥0.1×106

4

≤-43.5

-4AL

≥0.17×106

≤-46

-5AS

≥0.13×106

3

≤-44.5

-5AL

≥0.22×106

≤-47

-6AS

≥0.15×106

2

≤-45.5

-6AL

≥0.26×106

≤-48

-8AS

≥0.2×106

1

≤-47.5

-8AL

≥0.34×106

≤-50

-1MAS

≥0.25×106

1

≤-48.5

-1MAL

≥0.43×106

≤-51

-3BS

≥0.075×106

30

≤-42.5

-3BL

≥0.13×106

≤-45

-4BS

≥0.1×106

20

≤-43.5

-4BL

≥0.17×106

≤-46

-6BS

≥0.15×106

14

≤-45.5

-6BL

≥0.26×106

≤-48

-8BS

≥0.2×106

8

≤-47.5

-8BL

≥0.34×106

≤-50

-1MBS

≥0.25×106

5

≤-48.5

-1MBL

≥0.43×106

≤-51

單位

mV

V/W

MHz

dBm

%

注:a.波長根據(jù)用戶要求任選一種

b.僅限①②③④⑤⑥⑦⑧八種產(chǎn)品

c.其余系列產(chǎn)品

管腳定義及外形尺寸

管腳

符號

功能

1

Vss1

探測器偏置電源

2

GND

3

Vcc

正電壓

4

VREF

零位電壓調(diào)節(jié)

5

VOC

共模電壓調(diào)節(jié)

6

Vout+

信號正

7

Vout-

信號負

8

Vss2

負電源

符號

A

B

C

D

E

F

G

H

I

*小值

13.35

7.44

12.55

4.5

0.4

11

4.65

根據(jù)用戶要求

標稱值

2.54

**值

13.65

7.77

12.85

6.5

0.6

13

5.10

I 為光纖長度,單位為毫米

使用說明

電源電壓、偏置電壓不能超過額定值、偏置電壓不能超過額定值;

電源端與地之間應接 0.1μF 電容 0.1μF 電容;

器件保存應保持干燥;

器件保存和使用時應注意靜電防護。尾纖彎曲半徑不得小于。尾纖彎曲半徑不得小于30mm

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10分

售后服務

10分

易用性

10分

性價比

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