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便攜式四探針電阻率測試儀四探針電阻率測試儀四探針電阻率檢測儀四探針電阻率測定儀
便攜式四探針電阻率測試儀四探針電阻率測試儀四探針電阻率檢測儀四探針電阻率測定儀

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北京恒奧德儀器儀表有限公司

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1:便攜式四探針電阻率測試儀 四探針電阻率測試儀 四探針電阻率檢測儀 四探針電阻率測定儀 型號:KDK-KDY-1A

概述

便攜式電阻測度儀是用來測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

本儀器按照半導體材料電阻率的國際及國家標準測試方法有關規(guī)定。

它主要由電器測量部份(主機)及四探頭組成,需要時可加配測試架。

為減小體積,本儀器用同一塊數(shù)字表測量電流及阻率。樣品測試電流由高精寬的恒流源提供,隨時可進行校準,以確保電阻率測量的準確度。因此本儀器不僅可以用來分先材料也可以用來作產(chǎn)品檢測。對1~100Ω•cm標準樣片的測量瓿差不超過±3%,在此范圍內(nèi)達到國家標準機的水平。

測量范圍:

可測量 電阻率:0.01~199.9Ω•cm。

可測方塊電阻:0.1~1999Ω/口

當被測材料電阻率≥200Ω•cm數(shù)字表顯示0.00。

(2)恒流源:

輸出電流:DC 0.1mA~10mA分兩檔

10mA量程:0.1~1mA 連續(xù)可調(diào)

10mA量程:1mA ~10mA連續(xù)可調(diào)

恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.1%

適合測量各種厚度的硅片

(3) 直流數(shù)字電壓表

測量范圍:0~199.9mv

靈敏度:100μv

準確度:0.2%(±2個字)

(4) 供電電源:

AC:220V ±10% 50/60HZ 功率8W

(5) 使用環(huán)境:

相對濕度≤80%

(6) 重量、體積

重量:2.2 公斤

體積:寬210×高100×深240(mm)

(7)KD探針頭

壓痕直徑:30/50μm

間距:1.00mm

探針合力:8±1N

針材:TC

2:·數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號:KDK-LT-100C

為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。

該設備是按照國家標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗,經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。
KDK-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點:
1、可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。
2、 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態(tài)光電導衰退波形,并可聯(lián)用打印機及計算機。
4、配置兩種波長的紅外光源:
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。

壽命可測范圍 0.25μS—10ms

溫馨提示:以上產(chǎn)品資料與圖片相對應。

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