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ES03快速攝譜式多入射角光譜橢偏儀
ES03快速攝譜式多入射角光譜橢偏儀

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北京

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北京賽凡光電儀器有限公司

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ES03是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的高精度多入射角光譜橢偏儀,儀器波長范圍從紫外到近紅外。

ES03多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(shù)(如,厚度)和物理參數(shù)(如,折射率n、消光系數(shù)k),也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。

ES03系列適合于對樣品進行實時和非實時的檢測。

特點:

  • 原子層量級的檢測靈敏度

    國際先進的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。
  • 秒級的快速測量

    快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,在保證高精度和準確度的同時,10秒內快速完成一次全光譜橢偏測量。
  • 膜厚測量范圍大

    膜厚范圍從次納米量級到10微米左右。
  • 一鍵式儀器操作

    對于常規(guī)操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。

應用:

ES03適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質量控制。

ES03系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如:

  • ES03V適合于測量電介質材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。
  • ES03U適合于很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體的臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。
ES03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

典型應用如:

  • 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
  • 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
  • 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等
ES03也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括:

  • 玻璃新品研發(fā)和質量控制等。

技術指標:

項目
技術指標
光譜范圍
ES03V:370-1000nm
ES03U:245-1000nm
光譜分辨率
1.5nm
單次測量時間
典型10s,取決于測量模式
準確度
δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
(透射模式測空氣時)
膜厚測量重復性(1)
0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復性(1)
1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
入射角度
40°-90°手動調節(jié),步距5°,重復性0.02°
光學結構
PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度)
樣品臺尺寸
可放置樣品尺寸:直徑170 mm
樣品方位調整
高度調節(jié)范圍:0-10mm
二維俯仰調節(jié):±4°
樣品對準
光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng)
軟件
•多語言界面切換
•預設項目供快捷操作使用
•安全的權限管理模式(管理員、操作員)
•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫
選配件
自動掃描樣品臺
聚焦透鏡
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。
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ES03快速攝譜式多入射角光譜橢偏儀信息由北京賽凡光電儀器有限公司為您提供,如您想了解更多關于ES03快速攝譜式多入射角光譜橢偏儀報價、型號、參數(shù)等信息,歡迎來電或留言咨詢。
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