EMPro是針對高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的**型多入射角激光橢偏儀。
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量??捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計實現(xiàn)了納米薄膜的**厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項**技術(shù)。
特點:
原子層量級的極高靈敏度
百毫秒量級的快速測量
簡單方便的儀器操作
應(yīng)用:
EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等??蓱?yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。
技術(shù)指標:
項目 | 技術(shù)指標 |
儀器型號 | EMPro31 |
激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
(1)膜層厚度精度 | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
(1)折射率精度 | 1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 與測量設(shè)置相關(guān),典型0.6s |
結(jié)構(gòu) | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) |
激光光束直徑 | 1mm |
入射角度 | 40°-90°可手動調(diào)節(jié),步進5° |
樣品方位調(diào)整 | - Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm
- 二維俯仰調(diào)節(jié):±4°
- 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng)
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樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
**的膜層范圍 | - 透明薄膜可達4000nm
- 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān)
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**外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
儀器重量(凈重) | 25Kg |
選配件 | - 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺
- 真空吸附泵
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軟件 | ETEM軟件: - 中英文界面可選;
- l多個預設(shè)項目供快捷操作使用;
- l單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合;
- 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
- 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持
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注:(1)精度:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。
性能保證:
- 高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù),保證了高穩(wěn)定性和高準確度
- 高精度的光學自準直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
- 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準,結(jié)合先進的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測量
- 分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復雜樣品的折射率和**厚度的測量
- 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
- 一鍵式軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用