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有新突破,就有新發(fā)現(xiàn)!
95%@550nm, 超高量子效率
Dhyana 400BSI采用背照式sCMOS減薄芯片技術(shù),可以避免光線受布線層的干擾,提高受光面積進(jìn)而提高光電轉(zhuǎn)換率,如圖所示:在550納米處,量子效率高達(dá)95%,這是普通前照式sCMOS相機(jī)所不能比擬的,甚至可以和目前**水平的EMCCD相機(jī)相媲美!
<1.0e-@CMS, 超低讀出噪聲
背照式技術(shù)開啟了sCMOS高靈敏應(yīng)用的新時代,而更加令人振奮的是,利用CMS數(shù)據(jù)處理技術(shù),Dhyana400BSI取得了讀出噪聲小于1個電子的關(guān)鍵突破!這將為成像領(lǐng)域帶來無可比擬的信噪比優(yōu)勢!
什么是 "CMS "?
CMS全稱相關(guān)多重采樣(correlated multiple sampling),利用芯片上下兩通道同時傳輸圖像的模式,同步對圖像做疊加處理,從而達(dá)到降低讀出噪聲的目的。
內(nèi)置信號增強(qiáng)算法 ,進(jìn)一步提升信噪比
Dhyana 400BSI內(nèi)置信號增強(qiáng)算法可有效提高圖像信噪比,如圖所示,經(jīng)過算法改善后圖像信噪比得到了顯著提高。
6.5μm尺寸,更高的圖像分辨率
Dhyana400BSI不僅在量子效率和讀出噪聲兩個兩個關(guān)鍵性能上取得了突破,還使用了更小6.5微米像素尺寸,這是在顯微成像中能夠獲得更多的分辨率細(xì)節(jié)的關(guān)鍵因素。如圖所示,在相同的曝光時間下,Dhyana400BSI有著更優(yōu)異的細(xì)節(jié)表現(xiàn)力,可以讓您在更多超高分辨應(yīng)用領(lǐng)域,看到更多可能!
應(yīng)用案例參考: STORM 超分辨成像
STORM隨機(jī)光學(xué)成像顯微技術(shù)是目前應(yīng)用*廣、分辨率**的超分辨方法之一,它要求相機(jī)在可見光范圍內(nèi)具有高量子效率、高幀率和低噪聲等性能優(yōu)勢,其空間分辨率由單分子定位精度和奈奎斯特分辨率同時確定。
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號 | Dhyana400BSI |
芯片尺寸 | 1.2〃 |
芯片型號 | G2020 BSI(背照式科學(xué)級CMOS傳感器) |
彩色/黑白 | 黑白 |
量子效率 | 95%@550nm |
有效像素?cái)?shù) | 2048(H) x 2048(V) |
像素尺寸 | 6.5x 6.5(μm) |
有效面積 | 13.3x 13.3(mm) |
滿阱容量 | 30000e- |
讀出速度 | 全分辨率USB3.0下35幀/秒 |
讀出噪聲 | <1.0e-@CMS(峰值), 1.1e-@CMS(中值), 1.9e-@HDR(中值) |
快門模式 | 卷簾快門 |
曝光模式 | 手動 |
曝光時間 | 0.014ms-10s |
制冷方式 | 帕爾貼冷卻 |
制冷溫度 | 強(qiáng)迫風(fēng)冷(環(huán)境溫度25 ℃):-10 ℃ |
暗電流 | 0.9 electrons/pixel/s (-10 ℃)(typ.)@CMS |
動態(tài)范圍 | 86dB |
Binning | FPGA上實(shí)現(xiàn) |
子陣列 | 支持 |
外部觸發(fā)模式 | 標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)、同步觸發(fā)、全局觸發(fā) |
觸發(fā)延時功能 | 0-10000s |
觸發(fā)輸出 | 3個可編程時序輸出(曝光信號、全局信號、讀出信號) |
外部觸發(fā)連接 | SMA接口 |
接口 | USB3.0 |
SDK | 支持 |
AD轉(zhuǎn)換器 | 16bit |
鏡頭接口 | C接口 |
電源 | 12V/8A |
功耗 | 50W |
相機(jī)尺寸 | 120 x 119x 121mm |
設(shè)置 | 白平衡、曝光時間、3D降噪、伽馬、對比度、飽和度、平場校正 |
PC軟件 | Mosaic/LabVIEW/Matlab/Micromanager |
兼容系統(tǒng) | Windows/Linux/Mac |
操作溫度范圍 | 0-60℃ |
操作濕度范圍 | 10%-85% RH |
暫無數(shù)據(jù)!
產(chǎn)品質(zhì)量
售后服務(wù)
易用性
性價比