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Ion Beam Assisted Deposition (離子輔助沉積)
離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的基片或無(wú)定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)
高性能的IBAD(離子輔助沉積)系統(tǒng)
離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的基片或無(wú)定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera開(kāi)發(fā)了離子輔助的PLD系統(tǒng),該系統(tǒng)將PLD在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與IBAD能力結(jié)合在一起。得到無(wú)人倫比的技術(shù)專(zhuān)家知識(shí)的支持Neocera離子輔助的PLD系統(tǒng)會(huì)得到重要應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)的支持。系統(tǒng)開(kāi)發(fā)結(jié)合了Neocera的工程和工藝經(jīng)驗(yàn),保證了**的用途和工藝性能。
利用離子輔助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria穩(wěn)定的YSZ基片上,開(kāi)發(fā)了具有下列性能的雙軸結(jié)構(gòu)的YBCO薄膜:
l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°
l 轉(zhuǎn)變溫度Tc在88-89K,轉(zhuǎn)變寬度DTc約為約為0.5 K
l 77 K零場(chǎng)強(qiáng)時(shí),臨界電流密度Jc范圍; 1.5—2x106 A/cm2
l 77 K時(shí),磁深入深度l: 284nm
l 77 K,10G時(shí),表面電阻Rs等于700mW
Continuous Composition Spread (連續(xù)組成擴(kuò)展)
一種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續(xù)組成擴(kuò)展(CCS)方法。
經(jīng)濟(jì)的組合合成
組合合成是材料科學(xué)中*激動(dòng)人心的**進(jìn)展。在一次鍍膜實(shí)驗(yàn)中,生產(chǎn)多種不同材料組成的能力,大大的提高了獲得具有期望材料性能的**組成的速度。然而,現(xiàn)有組合合成系統(tǒng)的高成本對(duì)絕大多數(shù)研究預(yù)算來(lái)說(shuō)都是不切合實(shí)際的。
得到Neocera PLD經(jīng)驗(yàn)的支持
Neoceora已經(jīng)應(yīng)用我們豐富的PLD和開(kāi)發(fā)性能可靠的經(jīng)濟(jì)型設(shè)備的經(jīng)驗(yàn),發(fā)明了PLD-CCS(脈沖激光沉積-連續(xù)組成擴(kuò)展)系統(tǒng)。PLD-CCS受益于多層薄膜沉積的方便性和PLD工藝能在基片上改變二元,假二元,或三元體系的組成這一固有特性。
常規(guī)沉積條件下的組合合成
PLD-CCS能以連續(xù)的方式,而不是間隔的方式改變材料,沒(méi)有必要使用掩模。這就允許在每一次循環(huán)中,以小于一個(gè)單分子層的速率,快速連續(xù)沉積每一種組份,其結(jié)果是基本等同于共沉積法。事實(shí)上,該法無(wú)需在沉積后進(jìn)行退火促進(jìn)內(nèi)部擴(kuò)散或結(jié)晶,對(duì)于生長(zhǎng)溫度是關(guān)鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。
Laser MBE (激光分子束外延)
一種納米尺度薄膜合成的理想方法,PLD和原位高壓RHEED的結(jié)合,
為單分子水平上的薄膜生長(zhǎng)提供了精確控制。
使用激光MBE是納米技術(shù)研究的理想工具
激光MBE是普遍采用的術(shù)語(yǔ),定義了高真空下的PLD與在線(xiàn)工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應(yīng)用。該法為用戶(hù)提供了類(lèi)似于MBE的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。隨著更多的PLD研究受到納米技術(shù)的驅(qū)動(dòng),激光MBE變得對(duì)用戶(hù)更加有益。
正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED和PLD的重要因數(shù)
RHEED通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下,pld采用較高的壓力,差動(dòng)抽氣是必要的,維持rheed槍的工作壓力,同時(shí)保持500 mtorr的pld工藝壓力。同時(shí),設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。
Neocera的激光MBE系統(tǒng)為用戶(hù)在壓力達(dá)到500mTorr時(shí)所需的單分子層控制。
技術(shù)參數(shù):
一種用途廣泛的、用于薄膜沉積和合成納米結(jié)構(gòu)和納米粒子的方法。
PLD是一種復(fù)雜材料沉積的創(chuàng)新方法
激光脈沖鍍膜(PLD)是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材,生成與靶材組成相同的薄膜。PLD的獨(dú)特之處是能量源(脈沖激光)位于真空室的外面。這樣,在材料合成時(shí),工作壓力的動(dòng)態(tài)范圍很寬,達(dá)到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過(guò)控制鍍膜壓力和溫度,可以合成一系列具有獨(dú)特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。另外,PLD是一種“數(shù)字”技術(shù),在納米尺度上進(jìn)行工藝控制(A°/pulse)。
Neocera Pioneer系列 PLD系統(tǒng)— 基于**經(jīng)驗(yàn)的有效設(shè)計(jì)
Neocera利用PLD開(kāi)展了深入廣泛的研究,建立了獲得**薄膜質(zhì)量的臨界參數(shù),特別適用于沉積復(fù)雜氧化物薄膜。這些思考已經(jīng)應(yīng)用于Pioneer系統(tǒng)的設(shè)計(jì)之中。
很多復(fù)雜氧化物薄膜在相對(duì)高的氧氣壓力(>100 Torr)下冷卻是有利的。所有Pioneer系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工作壓力范圍從它們的額定初始?jí)毫Φ酱髿鈮毫?。這也有益于納米粒子的生成。
Pioneer PLD系統(tǒng)的激光束的入射角為45°,保持了激光密度在靶材上的**均勻性,同時(shí)避免使用復(fù)雜而昂貴的光學(xué)部件。淺的入射角能夠拉長(zhǎng)靶材上的激光斑點(diǎn),導(dǎo)致密度均勻性的損失。
為了避免使用昂貴的與氧氣兼容的真空泵流體,消除擔(dān)心油的回流對(duì)薄膜質(zhì)量的影響,所有Pioneer系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置都采用無(wú)油泵系統(tǒng)。
所有的系統(tǒng)都可以按完整PLD實(shí)驗(yàn)室的方式獲得,包括248nm激光器,激光氣體柜,激光和光學(xué)器件臺(tái),光學(xué)器件包。
我們的研究表明靶和基片的距離是獲得**薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。Pioneer系統(tǒng)采用可變的靶和基片的距離,對(duì)沉積條件進(jìn)行**的控制。
主要特點(diǎn):
Pioneer240 | Pioneer180 | Pioneer120 | Pioneer80 | ||
**wafer直徑 | 4” | 2” | 1” | 0.5” | |
**靶材數(shù)量 | 6個(gè)1” 或3個(gè) | 2” 6個(gè)1” 或3個(gè) | 2” 6個(gè)1” 或3個(gè)2” | 4個(gè)1” | |
壓力(Torr) | <10-8 | <10-6 | <10-6 | <10-6 | |
真空室直徑 | 24” | 18” | 12” | 8” | |
基片加熱器 | 4”,旋轉(zhuǎn) | 3”,旋轉(zhuǎn) | 2”, 平板 | 1”,平板 | |
**樣品溫度 | 850 ° C | 850 ° C | 950 ° C | 950 ° C | |
Turbo泵抽速 (liters/sec) | 800 | 260 | 260 | 70 | |
計(jì)算機(jī)控制 | 包括 | 包括 | 包括 | 包括 | |
基片旋轉(zhuǎn) | 包括 | 包括 | - | - | |
基片預(yù)真空室 | 包括 | 選件 | 選件 | - | |
掃描激光束系統(tǒng) | 包括 | 選件 | - | - | |
靶預(yù)真空室 | 包括 | - | - | - | |
IBAD離子束輔助沉積 | 選件 | 選件 | 選件 | - | |
CCS連續(xù)組成擴(kuò)展 | 選件 | 選件 | - | - | |
高壓RHEED | 選件 | - | - | - | |
520 liters/sec 泵 | a/n | 選件 | - | - |
暫無(wú)數(shù)據(jù)!