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儀器簡(jiǎn)介：

日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測(cè)試儀， 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場(chǎng)模擬技術(shù)，采用德國(guó)CST公司的3D電磁類(lèi)比軟件MW-StudioTM，測(cè)量材料的高頻介電常數(shù)，此方法保證了介電常數(shù)測(cè)量結(jié)果的精確性。

AET公司開(kāi)發(fā)了二種共振腔：空洞共振腔和開(kāi)放式同軸共振腔用于測(cè)試環(huán)境腔，空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。開(kāi)放式同軸共振腔適用于不同形狀樣品，包括薄膜樣品的非破壞性測(cè)量，使用簡(jiǎn)易的逐步操作，內(nèi)置的反饋振蕩器電路可實(shí)現(xiàn)精確的量測(cè)。

技術(shù)參數(shù)：

頻率范圍：1G~18GHz

同軸共振腔：Epsilon：1~15，準(zhǔn)確度：+/-1%，

tangent delta：0.1~0.001，準(zhǔn)確度：+/-5%

空洞共振腔：Epsilon：1~30，準(zhǔn)確度：+/-1%，

tangent delta：0.05~0.0001，準(zhǔn)確度+/-5%

主要特點(diǎn)：

應(yīng)用領(lǐng)域：

薄膜材料，半導(dǎo)體材料，電子材料（包括CCL和PCB），化學(xué)品，陶瓷材料，納米材料，光電材料等。

不僅可測(cè)試固體，而且可測(cè)試液體，粉末等。

日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測(cè)試儀，介電常數(shù)分析，介電損耗測(cè)試，高頻介電常數(shù)測(cè)量。