制作方法：
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磷化銦（InP） 體系外延材料因其在近紅外波段的優(yōu)異性能，以及超高的電子遷移率，在近紅外探測、光通信、高頻微波射頻領域應用廣泛。隨著現(xiàn)代科技對數(shù)據(jù)傳輸效率需求的提升，高速光通信對芯片的性能要求不斷提高。為滿足光電及射頻芯片對性能的需求，埃特曼采用國際**的 MBE 外延生產技術，為國內外客戶提供高質量的 InP 外延片。
光電類：
InP PIN
InP APD
射頻類：
InP HBT
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