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碳化硅單晶生長爐
碳化硅單晶生長爐

參考價(jià)格

面議

型號

碳化硅單晶生長爐

品牌

哈爾濱科友

產(chǎn)地

黑龍江

樣本

暫無
哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

會員

|

第2年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 溫控精度:

    -
  • 最高溫度:

    -
  • 額定溫度:

    -
  • 非金屬電熱元件:

    其他
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    其他
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    其他
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一、生產(chǎn)對象:

生產(chǎn)六英寸碳化硅晶體

二、爐體結(jié)構(gòu):

石英管爐,石英管內(nèi)徑400mm以上;抽空管道材質(zhì)304;機(jī)架及門板材質(zhì)為鋁合金等滿足結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的材料;線圈內(nèi)徑≥420mm; 表面帶絕緣涂層處理

三、底座結(jié)構(gòu):

需裝載架承載熱區(qū),并可由合適的裝載卸載設(shè)備從底部進(jìn)行裝載或卸載。

四、設(shè)備參數(shù):

加熱系統(tǒng):6英寸線圈                                                                                                                         進(jìn)氣閥(控制):                                                                                                    2個(gè);工藝氬氣流量1100Sccm;氮?dú)饬髁?5Sccm;
工作溫度:滿足2650°C以內(nèi)工藝要求;有效加熱功率≥40KW中頻感應(yīng)電源:

額定功率≥40KW,電流精度0.05%,諧振頻率(kHz)10-12KHz單高溫計(jì)配制,上測溫,僅用于溫度監(jiān)視。測量范圍包括1000℃~3000℃,測溫精度 ±0.5%F.S.,測溫重復(fù)精度±2℃;測溫儀采用FLUKE E1RH系列紅外高溫計(jì)通氣 150sccm Ar 時(shí)工藝控壓(P)的精度:1500Pa以下的控壓精度:目標(biāo)值±20Pa,1500Pa至10000Pa的控壓精度:目標(biāo)值±50Pa

線圈和坩堝相對位置移動系統(tǒng):可以實(shí)現(xiàn) 慢速0.02~10㎜/h,快速≥100㎜/min的相對位置移動動作,升降系統(tǒng)需帶上下限位。使用機(jī)械泵加分子泵實(shí)現(xiàn)真空。控制系統(tǒng):全自動控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)整個(gè)長晶過程的全自動控制;采用功率控制模式。
冷態(tài)或空爐時(shí)包括放氣率的總漏率:≤5.0E-9mBar·L/s ;極限真空下,保壓12h,壓升≤5Pa。控制系統(tǒng)數(shù)據(jù)和權(quán)限管理:可對長晶過程中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄并存檔,可追溯分析;直觀液晶顯示的人機(jī)交換界面,擁有用戶登錄及賬戶管理系統(tǒng),為方便生產(chǎn)管理,可為不同的賬戶分配不同的權(quán)限。
工藝氣體流量測量控制器(MFC):2個(gè)或以上;流量計(jì)精度±0.25%F.S.(<35% F.S.) ±1.0% S.P.(≥35% F.S.)裝料量要求及結(jié)構(gòu)承重:下爐蓋及升降系統(tǒng)能承重48公斤或以上重量。
工藝氣體流量控制系統(tǒng):Ar和N2可按工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)定,進(jìn)行全自動坡度調(diào)節(jié)。出爐/進(jìn)爐方向:下出料。


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10分

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