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產(chǎn)品介紹

1.半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，硅晶片表面處理工藝，在曝光的過程中，表面平整才能有效避免光的散射來實現(xiàn)圖像轉(zhuǎn)移，采用化學(xué)機械研磨法，能夠?qū)崿F(xiàn)標準的工藝要求，在半導(dǎo)體芯片的硅晶片制作工藝進入到毫米級后需采用化學(xué)機械研磨法，使硅晶片表面的平整程度達到制作的工藝要求。

2. 硅晶片與研磨墊相對運動過程會產(chǎn)生摩擦，從而會使研磨墊的溫度上升。溫度會升到80℃。研磨墊的溫度范圍30℃～75℃，研磨墊的溫度低于30℃或高于75℃時，會使研磨液與硅晶片表面的化學(xué)反應(yīng)特性變差，影響硅晶片表面的平整度，需配置一臺化學(xué)機械CMP研磨冷卻水降溫設(shè)備來控制水溫。

3. 化學(xué)機械CMP研磨冷卻水降溫設(shè)備提供低溫冷水對CMP研磨機中拋光帶的冷卻裝置降溫，解決了CMP研磨機使用過程中拋光帶溫度比較高的問題，冷卻裝置包括一個冷水箱，水泵，冷水箱與拋光帶拋光工作面的接觸.能有效降低工作過程中拋光帶的溫度。

設(shè)備的應(yīng)用

硅晶片雙面化學(xué)機械CMP研磨拋光自帶的冷卻裝置的降溫是利用化學(xué)機械CMP研磨冷卻水降溫設(shè)備提供的冷源，調(diào)節(jié)系統(tǒng)和顯示控制系統(tǒng),通過顯示面板即可實時監(jiān)測工作溫度，冷卻水沿冷卻通道對下磨盤進行冷卻,有效地控制了硅晶片的加工溫度,提高了硅晶片CMP研磨拋光的表面質(zhì)量,降低了硅晶片碎片率。

產(chǎn)品優(yōu)勢

化學(xué)機械CMP研磨冷卻水降溫設(shè)備作為化學(xué)機械CMP研磨過程中研磨拋光的溫度控制系統(tǒng)，通過控制拋光的溫度使得硅晶片在拋光程中的溫度得到控制，良品率等保持在理想狀態(tài)，延長研磨拋光的使用時間，有效提高硅晶片的平整性和穩(wěn)定性.