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氮化鋁的優(yōu)勢
直接帶隙，禁帶寬度6.2eV，是重要的深紫外和紫外發(fā)光材料·高擊穿電場強度、高熱導率、高絕緣性、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、機械性能好、耐腐蝕，常用于高溫高頻高功率器件
非常好的壓電性能(特別是沿C軸方向)，是目前制備各種傳感器、驅動器以及濾波器的**材料之與GaN晶體有非常接近的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，是異質外延生長GaN基光電器件的優(yōu)選襯底材料
暫無數(shù)據(jù)！
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