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硒化銦晶體- γ-In2Se3品牌
上海研倍產(chǎn)地
上海樣本
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產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)：
| 產(chǎn)品名稱(chēng) | 硒化銦晶體- γ-In2Se3 |
| 貨號(hào) | RDB-DJ-171 |
| 性質(zhì) | 半導(dǎo)體 |
| 保存條件 | 室溫，密封 |
| 參數(shù) | 尺寸： ＞25mm2 ＞35mm2 ＞50mm2 |
| 應(yīng)用 | 半導(dǎo)體電子器件，光學(xué)器件等研究 |
產(chǎn)品規(guī)格：
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
XRD:
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高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡(jiǎn)單晶體結(jié)構(gòu)的合金。與傳統(tǒng)合金不同，高熵合金沒(méi)有主體元素，傾向于形成簡(jiǎn)單固溶體結(jié)構(gòu)，
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