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由多個(gè)高真空單靶磁控濺射組成工藝系統(tǒng)

NDT系列設(shè)備主要是由電源系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、磁控濺射鍍膜源系統(tǒng)組成。控制系統(tǒng)是由PLC程序控制的工控機(jī)。電源主要是控制電源和偏壓電源。每個(gè)磁控濺射鍍膜源靶由低電壓高電流的電弧源提供能量，電壓電流都可以調(diào)節(jié)。設(shè)備有12只陰極電弧離化源，能夠保證同時(shí)安裝3列純金屬或合金靶材。工件與腔體之間是負(fù)偏壓，其目的是提高入射粒子的速度、沉積速率，增加膜和基體表面的結(jié)合的牢固度。

系統(tǒng)由至高真空后充入工藝氣體，在陰極和陽(yáng)極間加壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱(chēng)為濺射原子，濺射原子在基片表面沉積成膜。磁控濺射濺射率高、基片溫升低、膜-基結(jié)合力好、裝置性能穩(wěn)定、操作控制方便。

主要特點(diǎn)

1、 獨(dú)特的磁場(chǎng)設(shè)計(jì)，在真空條件下把碳?xì)錃怏w離化為碳等離子體，再利用離子引出裝置技術(shù)，能夠制成性能優(yōu)越的超級(jí)類(lèi)金剛石DLC薄膜；

2、 設(shè)備具備加熱、離子束濺射清洗和磁控濺射沉積金屬層的能力；

3、 腔室圓周壁安裝磁控濺射源、離子束清洗源和加熱器，底部布置高真空抽氣系統(tǒng)。頂部有旋轉(zhuǎn)基片架驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和真空度測(cè)量系統(tǒng) ；

4、設(shè)備采用全自動(dòng)控制系統(tǒng)，能控制工藝溫度、膜層厚度，能對(duì)微孔內(nèi)壁鍍膜；

5、行星轉(zhuǎn)架底座為公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)；

6、 突出安全性設(shè)計(jì)：設(shè)備中外露部分，包括真空腔室、抽氣系統(tǒng)、離子源背部等能觸摸到的表面，全部接地保護(hù)；內(nèi)部帶電部分也有明顯警示標(biāo)志。設(shè)備控制軟件設(shè)有自動(dòng)保護(hù)功能。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1、純離子鍍膜技術(shù)的兩大創(chuàng)新和成熟的工藝相結(jié)合，使得膜層具備如下性能：大面積鍍膜、均勻性好；繞射性好、適用于復(fù)雜形狀曲面的鍍膜、可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件；

2、工藝穩(wěn)定、重復(fù)性好；粘附性好；高純度、無(wú)顆粒；摩擦系數(shù)小、防刮花、耐磨損；

3、化學(xué)穩(wěn)定性好、適應(yīng)惡劣環(huán)境、耐腐蝕；

4、適用于光學(xué)膜層；可以在導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體基底上沉積；可以和純離子鍍膜，磁控濺射和離子束清洗等工藝配合等；

5、NDT技術(shù)備制的膜層厚度通常在5nm-15μm之間，可以廣泛應(yīng)用在：3C消費(fèi)電子、家電、紡織、閥門(mén)、半導(dǎo)體、模具、新能源、**航天、科研等行業(yè)；

6、NDT設(shè)備高沉積速率；

7、鍍膜的種類(lèi)多樣化，膜層厚度均勻性良好。