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碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ組元素中**的穩(wěn)定固態(tài)化合物, 是一種重要的半導體材料。 它具有優(yōu)良的熱學、力學、化學和電學性質, 不僅是制作高溫、高頻、大功率電子器件的優(yōu)質材料之一，也可以用作基于GaN的藍色發(fā)光二極管的襯底材料。目前用于襯底的碳化硅以4H為主，導電類型分為半絕緣型（非摻、摻雜）與N型。
常用規(guī)格：
4H-N型碳化硅晶片
尺寸：2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm | 6英寸直徑150mm
晶向：off axis 4.0? toward <1120> ± 0.5?
電阻率：<0.1 ohm.cm
表面粗糙度：Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm
4H-半絕緣型碳化硅晶片
尺寸：2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm | 6英寸直徑150mm
晶向：on axis {0001} ± 0.25?
電阻率：>1E5 ohm.cm
表面粗糙度：Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm
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