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砷化銦單晶片InAs
砷化銦單晶片InAs

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型號

砷化銦單晶片InAs

品牌

中芯晶研

產地

福建

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廈門中芯晶研半導體有限公司

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砷化銦InAs或銦單砷化物是由銦和砷組成的半導體。它具有灰色立方晶體的外觀,熔點為942°C。砷化銦用于構建紅外探測器,波長范圍為1-3.8μm。探測器通常是光伏光電二極管。低溫冷卻探測器具有較低的噪聲,但InAs探測器也可用于室溫下的高功率應用。砷化銦也用于制造二極管激光器。砷化銦類似于砷化鎵,是一種直接的帶隙材料。砷化銦有時與磷化銦一起使用。與砷化鎵合金形成銦鎵砷 – 一種帶隙取決于In / Ga比的材料,這種方法主要類似于將氮化銦與氮化鎵合金化以產生氮化銦鎵。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知。它被廣泛用作太赫茲輻射源,因為它是一個強大的光 – 琥珀發(fā)射器。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化銦單晶片。

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