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| 項 目 (Item) | 標 準 (Spec) | ||
| 電學性能 electronic characters | |||
| 導電類型（type） | P型(B dopant) | N型（P dopant） | |
| 電阻率（resistivity annealed）（Ω·cm） | 1.0～3.0 | 0.2~2.0;0.8~5;1~15;(custom as required) | |
| 電阻率不均勻性(inhomogeneity of resistivity) | ≤15% | ≤25% | |
| 硅片少子壽命(lifetime)（μs） | ≥10.0 | ≥500.0 | |
| 氧含量(oxygen)（ppma） | ≤20 | ||
| 碳含量(carbon)（ppma） | ≤1 | ||
| 晶體結構 crystal structure | |||
| 晶向(orientation) | o | ||
| 缺陷(swirl and OSF-ring) | 無（none） | ||
| 位錯密度(dislocation density)（cm-2） | ≤3000 | ||
| 表面質(zhì)量 appearance | |||
| 硅落、V缺口、孿晶、裂紋、沾污、針孔 （crack, V-shape，twin， stain,pinhole） | 無（none） | ||
| 崩邊(edge chips)（mm） | ≤0.5*0.3, no more than 2/wafer | ||
| 線痕(saw marks)（μm） | ≤15.0 | ||
| 彎曲度(bow)（μm ） | ≤50.0 | ||
| 翹曲度(warp)（μm ） | ≤50.0 | ||
| 硅片尺寸 dimension | |||
| 邊長&直徑(length and diameter)（mm） | 156.75 | 210 | |
| 硅片厚度(thickness)（μm） | 180 | 200 | |
| TV（μm） | 200 | ±15.0 | |
| 180 | ±15.0 | ||
| TTV（μm） | 200 | 30 | |
| 180 | 25 | ||
| 直線段的垂直度（verticality of side） | 90o±0.3o | ||
| 包裝與儲運 package and carriage | |||
| 包裝（package） | 1盒400片；1箱1600片；1托48000片。 | ||
| 400pcs/box，1600pcs/case，48Kpcs/pallet | |||
| 儲存（Storage） | 溫度（temperature.）：10℃～40℃ | ||
| 濕度（humidity）：≤60% | |||
主導產(chǎn)品包括單晶硅生長爐、區(qū)熔爐、金剛石生長爐等光伏及半導體設備，直拉單晶硅棒及硅片、區(qū)熔單晶硅棒及硅片等光伏產(chǎn)品，光伏發(fā)電和風力發(fā)電等新能源發(fā)電項目及蜂窩式中低溫SCR煙氣脫硝催化劑。主導產(chǎn)品包括單晶硅生長爐、區(qū)熔爐、金剛石生長爐等光伏及半導體設備，直拉單晶硅棒及硅片、區(qū)熔單晶硅棒及硅片等光伏產(chǎn)品，光伏發(fā)電和風力發(fā)電等新能源發(fā)電項目及蜂窩式中低溫SCR煙氣脫硝催化劑。
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