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半導體級導電型碳化硅多晶粉-JCEC100N品牌
晶彩科技產(chǎn)地
浙江樣本
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一、產(chǎn)品介紹
碳化硅晶體材料是新一代寬禁帶半導體材料,可以突破硅基半導體材料的理論限制,它具有熱導率高(硅的3倍)、擊穿電場強度高(硅的 10 倍)、飽和電子漂移速度高(硅的2倍)、介電常數(shù)小、抗輻射能力強以及良好的化學穩(wěn)定性、與 Ga N 晶格失配小(4%)等特點，是新一代發(fā)光二極管(LED)襯底材料、大功率電力電子材料。
本公司生產(chǎn)的此類產(chǎn)品主要針對第三代半導體碳化硅單晶的生長需求，粒徑可實現(xiàn)百微米到毫米級精準控制，產(chǎn)品純度可達6N和6.8N兩個級別，其中半絕緣型產(chǎn)品氮含量低于 0.5ppm,導電型產(chǎn)品氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間（<5ppm；5ppm-20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm）類型。
二、電鏡圖
三、粒度圖
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移動端
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