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產品介紹：
用于6吋&8 吋的 SiC 晶體生長，裝載 SiC粉料和支撐反應腔室
適用機型：
第三代半導體 SiC 長晶爐
產品參數：
基材：等靜壓石墨(純度>6N)
特點：純度高，高導熱，傳熱均勻性好
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